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Mosfets
Mosfet significa Transistor de efecto de campo de
semiconductor de óxido de metal. Al igual que los transistores
bipolares,Mosfets dispone de dos tipos de versiones principales:
canal N y canal P. La mayoría de Mosfets modernos son del
tipo de Modo de Mejora, lo que significa que la polarización
del voltaje de la compuerta-fuente siempre es positiva (para
tipos de canal N). El otro tipo (más raro) de Mosfet es el tipo de
Modo de agotamiento que se describe en una sección posterior.
describe una característica clave de estos dispositivos, una región de puerta aislada que
da como resultado una corriente de puerta insignificante para los voltajes tanto positivos
como negativos de la fuente de puerta (hasta los valores máximos permitidos, por
supuesto, típicamente ± 20V).
La primera pantalla que se muestra proporciona información
sobre el tipo de Mosfet detectado. Al presionar OFF / Page,
se generará el pinout del Mosfet. La puerta, fuente y drenaje
están identificados.
Una característica importante de un Mosfet es la tensión
umbral de la fuente de la compuerta y la tensión de la
compuerta-fuente a partir de la cual comienza la conducción
entre la fuente y el desagüe. El umbral de la puerta se muestra
siguiendo la información del pinout.
El Modo de agotamiento Mosfet extrano/raro es muy similar al FET de unión convencional
(JFET), excepto que el terminal de puerta está aislado de los otros dos terminales. La
resistencia de entrada de estos dispositivos típicamente puede ser mayor que 1000MQ
para voltajes de puerta negativos y positivos.
Los dispositivos del modo de agotamiento se caracterizan por
la tensión de la fuente de compuerta requerida para controlar la
corriente de la fuente de drenaje.
Los dispositivos modernos de modo de agotamiento generalmente solo están disponibles
en las variedades de canal N y conducirán la corriente entre sus terminales de drenaje y
fuente, incluso con un voltaje cero aplicado a través de la puerta y la fuente. El dispositivo
solo se puede apagar completamente al tomar su puerta significativamente más negativa
que su terminal fuente.
Mejora Mod N-Ch
MOSFET
Rojo Verde Azul
Gate Drn Srce
PuertaUmbral Vgs
= 3.47V
Corriente de prueba
ld = 2.50mA
Modo de
agotamiento N-CH
Mosfet
8
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