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Es esta característica la que los hace tan similares a los JFETS convencionales.
Presionando OFF / Page hará que se muestre la pantalla de
pinout.
Los intersectores FETS
Son transistores de efecto de campo convencionalesEl voltaje aplicado a través de los
terminales de la puerta de entrada controla la corriente entre los terminales de drenaje y
fuente. Los JFETS de canal N requieren un voltaje negativo en su compuerta con respecto
a su fuente, mientras más negativa sea la tensión, puede fluir menos corriente entre el
drenaje y la fuente.
A diferencia de Mosfets de modo de agotamiento, los JFETS
no tienen una capa de aislamiento en la puerta. Esto significa
que aunque la resistencia de entrada entre la puerta y la
fuente es normalmente muy alta, la corriente de la puerta
puede aumentar si la unión del semiconductor entre la puerta
y la fuente o entre la puerta y el desagüe se polarizan hacia
adelante. Esto puede suceder si el voltaje de la compuerta es
aproximadamente 0.6V más alto que los terminales de drenaje
o fuente para dispositivos de canal N o 0.6V sean menores que
el drenaje o fuente para dispositivos de canal P.
La estructura interna de JFETS es esencialmente simétrica con
respecto a la puertaterminal, esto significa que los terminales
de drenaje y de fuente son indistinguibles por el Tester. Pero sin
embargo, se puede indentificar el tipo de JFET y el terminal de
puerta.
Rojo Verde Azul Drn
Gate Srce
Intersectores FET
de canal P
Drenaje y fuente no
identificados
Puerta Rojo, Verde
.Azul
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