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Configuraciones de memoria
Para mejorar la disponibilidad del módulo de proceso, este proporciona los siguientes modos AMP.
Advanced ECC (modo ECC avanzado) predeterminado
El modo de memoria predeterminado para el módulo de proceso es el modo ECC avanzado. El
modo ECC avanzado permite establecer el ancho de banda de memoria en el doble de la velocidad
del reloj de los módulos DIMM. La memoria ECC avanzada puede corregir errores de memoria de bit
único y de múltiples bits en un dispositivo DRAM x8 simple o dos dispositivos DRAM x4 adyacentes.
El módulo de proceso presenta una notificación cuando los errores corregibles superan un umbral
predefinido. Cuando el modo ECC avanzado detecta errores que no es posible corregir, el módulo de
proceso informa al usuario y cierra el sistema operativo. El modo Advanced ECC (ECC avanzado)
está disponible para un máximo de configuraciones de memoria.
Lockstep mode - DDDC (Modo de sincronía: DDDC)
El módulo de proceso ofrece una corrección de datos de dispositivos doble (DDDC) con
procesadores de la serie Intel Xeon E7 en modo Lockstep (Sincronía). El ancho de banda de
memoria se reduce a la velocidad de reloj igual de DIMM. DDDC genera mucho menos tiempo de
inactividad que Advaced ECC (ECC avanzada). Puede tolerar errores graves y leves detectados en
hasta dos dispositivos DRAM x4 en el par de DIMM. La tolerancia a fallos de la memoria amplía en
gran medida la disponibilidad del sistema.
Online spare memory (Memoria auxiliar en línea)
La memoria auxiliar en línea proporciona protección contra los módulos DIMM deteriorados al reducir
la probabilidad de que se produzcan errores de memoria no corregidos. Esta protección está
disponible independientemente del sistema operativo.
La protección de la memoria auxiliar en línea utiliza un rango de cada canal de memoria como
memoria auxiliar. Los rangos restantes están disponibles para el SO y el uso de las aplicaciones.
Si se producen errores de memoria que se pueden corregir a una tasa superior a la del umbral
especificado en cualquiera de los rangos no auxiliares, el módulo de proceso copia automáticamente
el contenido de la memoria del rango deteriorado en el rango auxiliar en línea. A continuación, el
módulo de proceso desactiva el rango que falla y cambia automáticamente al rango auxiliar en línea.
Mirrored Memory (Réplica de memoria)
Los errores que no son corregidos por ECC o SDDC no pueden ser corregidos por la memoria
auxiliar en línea. La réplica de memoria ofrece la mayor protección contra un fallo de memoria más
allá del ECC, SDDC y memoria auxiliar en línea ofreciendo una redundancia añadida en el
subsistema de memoria. Una vez detectado un error de memoria incorregible de una memoria DIMM
de un cartucho de memoria, el procesador evita la caída del sistema leyendo la réplica de la memoria
DIMM. En este caso, la rutina de gestión del sistema desactiva el DIMM averiado. Las lecturas y
escrituras subsiguientes de la memoria se realizan únicamente en los módulos DIMM duplicados.
Las limitaciones al modo Mirrored Memory (Réplica de memoria) son las siguientes.
En modo réplica de memoria, la mitad de la memoria se asigna a la protección de la memoria.
●
El ancho de banda de memoria disponible se reduce hasta un 50% en este modo.
●
Los modos Mirrored Memory (Réplica de memoria) y Online Spare (Memoria auxiliar en línea)
●
no pueden activarse simultáneamente.
Opciones de protección de memoria avanzada
Las opciones de protección de memoria avanzada se configuran en el menú BIOS/Platform
Configuration (RBSU) (Configuración del BIOS/plataforma [RBSU]) en las utilidades del sistema
UEFI. En la pantalla System Utilities (Utilidades del sistema), seleccione System Configuration >
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Capítulo 4 Instalación de opciones de hardware
ESES
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