DDR de canal dual:
Las placas base GA-7NNXPV / GA-7NNXP / GA-7N400V Pro / GA-7N400 Pro / GA-7N400-L1 admiten la
tecnología de canal dual.
Cuando se activa la tecnología de canal dual, el ancho de banda utilizado por la memoria será el doble del
original, con una velocidad máxima de 6,4GB/seg (DDR400) o 5,3Gb/seg (DDR333).
Las placas base GA-7NNXPV / GA-7NNXP / GA-7N400V Pro / GA-7N400 Pro / GA-7N400-L1 incluyen 4
zócalos DIMM y cada canal tiene 2 DIMM de la siguiente manera:
Canal A : DIMM 1, 2,
Canal B : DIMM 3, 4,
A continuación se incluyen las explicaciones:
Si desea utilizar la tecnología de canal dual, preste atención a las siguientes explicaciones debido a
las limitaciones de las especificaciones del juego de chips Intel.
1.
Se instala un módulo de memoria DDR: La tecnología de canal dual no funcionará cuando se
instala solo un módulo de memoria DDR.
2.
Se instalan dos módulos de memoria DDR: La tecnología de canal dual funcionará solamente se
instalan dos módulos de memoria DDR individualmente en el Canal A y el Canal B. Si se instalan
los dos módulos de memoria en el mismo canal, la tecnología de canal dual no funcionará.
3.
Se instalan tres o cuatro módulos de memoria DDR: Siga las indicaciones de la figura 1 para
activar la tecnología dual
Las tablas siguientes incluyen todas las combinaciones de instalación me meoria:
(Observe que con tipos no incluidos en las tablas, el sistema no se iniciará.)
Figura 1: Tecnología de canal dual (DS: Sólo una cara, SS: Doble cara)
DIMM 1
2 módulos de memoria
DS/SS
X
DS/SS
X
3 módulos de memoria
DS/SS
DS/SS
X
DS/SS
4 módulos de memoria
DS/SS
Figura 2: Tecnología sin canal dual (DS: Cara sencilla, SS: Doble cara)
DIMM 1
1 módulo de memoria
DS/SS
X
X
X
2 módulos de memoria
DS/SS
X
Placa base de serie NXP / N400 Pro
DIMM 2
DIMM 3
X
DS/SS
DS/SS
DS/SS
X
X
DS/SS
X
DS/SS
DS/SS
DS/SS
X
DS/SS
SS
X
SS
DS/SS
SS
DIMM 2
DIMM 3
X
X
DS/SS
X
X
DS/SS
X
X
DS/SS
X
X
SS
- 20 -
DIMM 4
X
X
DS
DS
X
DS
SS
SS
SS
DIMM 4
X
X
X
DS
X
SS