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Algunas funciones de rendimiento son exclusivas de SmartMemory. La memoria HPE
SmartMemory de 1,35 V DDR3-1333 Registered se ha diseñado para lograr el mismo nivel de
rendimiento que la memoria de 1,5 V. Por ejemplo, mientras que la industria admite RDIMM
DDR3-1333 a 1,5 V, el servidor ML350e admite RDIMM DDR3-1333 con hasta 2 memorias
DIMM por canal a 1333 MT/s funcionando a 1,35 V. Esto equivale hasta un 20% menos de
energía en el nivel de DIMM sin penalización de rendimiento. Además, el sector admite módulos
UDIMM a razón de 2 módulos DIMM por canal a 1066 MT/s.SmartMemory admite 2 DIMM por
canal a 1333 MT/s a 1,35 V, o un ancho de banda un 25% superior, y admite 2 DIMM por canal
a 1600 MT/s a 1,5 V, o un ancho de banda un 50% superior.
Arquitectura del subsistema de memoria
El subsistema de memoria de este servidor se divide en dos canales. Cada procesador admite
tres canales, y cada canal admite dos ranuras DIMM.
-
Procesador 2
Procesador 2
Procesador 2
Para la ubicación de los números de ranura, consulte "ranuras DIMM
Esta arquitectura de varios canales permite lograr un mejor rendimiento en el modo ECC
avanzado. Esta arquitectura también permite los modos de memoria de sincronía y auxiliar en
línea.
Las ranuras de DIMM de este servidor se identifican por un número y letra. Las letras identifican
el orden de ocupación. Los números de ranura indican el ID de la ranura DIMM auxiliar (de
reserva).
DIMM de rango único, de rango doble y de cuatro rangos
Para comprender y configurar los modos de protección de memoria correctamente, resulta útil
tener conocimientos sobre los DIMM de rango único, rango doble y cuatro rangos. Algunos
requisitos de configuración de módulos DIMM se basan en estas clasificaciones.
Un DIMM de rango único posee un conjunto de chips de memoria al que se accede mientras se
escribe o lee en la memoria. Un módulo DIMM de rango doble equivale a dos módulos DIMM
de rango único en el mismo módulo; únicamente es posible acceder a un rango en cada momento.
En la práctica, un módulo DIMM de cuatro rangos equivale a dos módulos DIMM de rango doble
en el mismo módulo. Solo es posible acceder a un rango cada vez. El subsistema de control de
la memoria del servidor selecciona el rango adecuado del módulo DIMM cuando escribe en un
DIMM o lee desde éste.
Las memorias DIMM de rango doble y cuatro rangos proporcionan la mayor capacidad con la
tecnología de memoria existente. Por ejemplo, si la tecnología DRAM actual admite memorias
DIMM de rango único de 8 GB, una memoria DIMM de doble rango tendría 16 GB, y una memoria
DIMM de cuatro rangos, 32 GB.
Las memorias LRDIMM se etiquetan como memorias DIMM de cuatro rangos; sin embargo,
funcionan más como las memorias DIMM de rango doble. Hay cuatro rangos de memoria DRAM
Canal del
Orden de
subsistema de
ocupación
memoria
(Procesador 2)
1
A
D
2
B
E
3
C
F
Número de
-
ranuras
(procesador 2)
1
Procesador 1
2
3
Procesador 1
4
5
Procesador 1
6
(página
Canal del
subsistema de
memoria
(Procesador 1)
3
2
1
14)."
Opciones de memoria
47
Orden d
ocupaci
F
C
E
B
D
A
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