turck BL ident TW-R50-B128-EX Guia De Inicio Rapido

TW-R50-B128-EX
Designación de tipo
N° de identificación
Transmisión de datos
Frecuencia de operación
Tipo de memoria
Chip
Capacidad de memoria
Memoria
Memoria de uso libre
N° de operaciones de lectura
N° de operaciones de escritura
Tiempo de lectura típico
Tiempo de escritura típico
Estándares de radio y protocolo
Distancia mínima al metal
Temperatura ambiente
Temperatura de almacén
Identificación del aparato
Aprobación conforme
Diseño
Diámetro
Diámetro interior
Altura de la carcasa
Material de la cubierta
Material de la cara activa
Grado de protección
Cantidad en caja
Comentario sobre el producto
1 / 4 Hans Turck GmbH & Co.KG ñ D-45472 Mülheim an der Ruhr ñ Witzlebenstraße 7 ñ Tel. 0208 4952-0 ñ Fax 0208 4952-264 ñ more@turck.com ñ www.turck.com
TW-R50-B128-EX
7030244
acoplamiento inductivo
13,56 MHz
EEPROM
NXP I-Code SLI/SL2
128 Byte
lectura / escritura
112 byte
ilimitado
10
5
2 ms/byte
3 ms/byte
ISO 15693
10mm
-25...+85 °C
-45...+85 °C
140 °C, 1x100 h
en áreas Ex consulte el manual de instruccio-
nes
Ex II 2 G Ex ia IIC T4/T6 II 2D Ex iaD 21
T110°C
BVS 09 ATEX E 036 X
R50
50 mm +/-0.5 mm
5.2 mm +/-0.3 mm
3.3 mm +/-0.5 mm
Plástico, PA6
plástico, PA6, negro
IP69K
1
ATEX
■ EEPROM, capacidad de memoria 128
Byte
Principio de funcionamiento
Los cabezales de lectura/escritura HF con
una frecuencia de trabajo de 13,56 MHz
crean una zona de transmisión, cuyo tamaño
(0...500 mm) varía en función de la combina-
ción de cabezal de lectura/escritura y soporte
de datos.
Las distancias de lectura y escritura indicadas
representan sólo valores típicos en condicio-
nes de laboratorio, sin influencia del material.
Las distancia de lectura/escritura de los so-
portes de datos para el montaje en/sobre me-
tal se han determinado en/sobre metal.
Las tolerancias de los componentes, las con-
diciones de instalación en la aplicación, las
condiciones ambientales y la influencia del
material (sobre todo metal) pueden modificar
las distancias hasta un 30 %.
Por eso es indispensable realizar un ensayo
bajo las condiciones reales de aplicación (so-
bre todo lectura y escritura en movimiento).