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(I)GS 63
Almacenamiento de los valores Teach en el sensor
En el sensor se pueden memorizar y solicitar hasta 10 valores Teach distintos. Así se podrán procesar etiquetas de diferentes
materiales sin que el operador tenga que realizar un proceso Teach. Si se quiere aplicar esta función se recomienda bloquear
estáticamente la tecla Teach para que no se pueda efectuar ningún manejo en el equipo.
El proceso se inicia con la ejecución del Teach a través de la línea (vea descripción en la página 6). El valor Teach que se calcula
entonces permanecerá memorizado en el sensor, ocupando una de los 10 posibles posiciones de memoria siguiendo el proceso
que se describe a continuación.
Esquema del proceso: ejecutar primero el Teach a través de la línea; guardar luego el valor Teach.
Almacenamiento de los valores Teach
4 ms ... ∞
Tecla bloqueada
Tecla operativa
Impulso sólo
necesario si
antes había
nivel low
Leer valores Teach en la memoria
4 ms ... ∞
Tecla bloqueada
Tecla operativa
Impulso sólo
necesario si
antes había
nivel low
Bloqueo de la tecla Teach mediante la entrada Teach
(I)GS 63
Una señal high estática (≥ 4ms) en la entrada Teach bloque en caso nece-
sario la tecla Teach en el equipo, de tal forma que no se puedan efectuar
una operación manual (por ejemplo protección contra operación o manipu-
lación errónea).
En caso de que la entrada Teach esté sin conmutar o si tiene una señal low
estática, la tecla estará desbloqueada y podrá ser manipulada.
Leuze electronic GmbH + Co. KG
info@leuze.de • www.leuze.com
580 ... 620ms
4 ... 100ms
Activación almacenamiento valor
Teach actual:
La acción comienza con el flanco
descendente:
t
= 580 ... 620ms
Teach
4 ... 100ms
780 ... 820ms
Acción de leer valor Teach:
Cargar valor
Teach
La acción comienza con el flanco
descendente:
t
= 780 ... 820ms
Teach
In der Braike 1 D-73277 Owen Telf. +49 (0) 7021 573-0
Barrera fotoeléctrica bifurcada
(n x 50ms) -10ms
...
(n x 50ms) +10ms
Selección posición de memoria:
La duración del impulso determina la posición
del valor Teach actual en la memoria:
n=1,2,3 ... 10
Ejemplo: t para posición de memoria 3:
140ms ...160ms
(n x 50ms) -10ms
...
(n x 50ms) +10ms
Selección posición de memoria:
La duración del impulso determina la posición
de la memoria de donde se carga el valor Tea-
ch:
n=1,2,3 ... 10
Ejemplo: t para posición de memoria 7:
340ms ... 360ms
– 7 –
50ms
Tecla bloqueada
Tecla operativa después de 3s
La elección de la po-
sición en la memoria
termina con el flan-
co ascendente. El
sensor vuelve al
modo de operación
normal 50ms des-
pués del flanco as-
cendente.
50ms
Tecla bloqueada
Tecla operativa después de 3s
La elección de la po-
sición en la memoria
termina con el flan-
co ascendente. El
sensor vuelve al
modo de operación
normal 50ms des-
pués del flanco as-
cendente.
(I)GS 63... - 01
t
t
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