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ESPECIFICACIONES
M o delo s est á nda r – V B H N xxxS J47
E s pec if icac io ne s eléct rica s
M o delo
Número de células en serie
P o tencia nominal, vatios (P máx)
Tensión a la máxima potencia (Vpm)
Co rriente a la máxima po tencia (Ipm)
Tensión en circuito abierto (Tca)
Co rriente en cortocircuito (Icc)
Tipo de célula
Tensión máxima del sistema (Tca)
A mperaje máximo de protección contra
sobrecorriente
Diodos de derivación instalados de fábrica
Heterounión de silicio*: silicio monocristalino/heterounión de silicio amorfo
E s pec if icac io ne s m ecá nica s
M o delo
Longitud
A ncho
A lto
P eso
Nota) Los paneles se instalan utilizando un montaje simétrico de 4
puntos dentro de un margen de ajuste (zona sombreada).
La separación entre fijaciones debe oscilar entre
1030-1230 mm
V B H N 320 S J47
V B H N 3 25S J 47
96
W
320
V
57,3
A
5,59
V
69,4
A
5,98
Heterounión de silicio*
Heterounión de silicio*
V
1 000
A
1 5
4
V B H N 320 S J47
V B H N 3 25S J 47
mm
1 590
mm
1 053
mm
35
kg
1 9
Dimensiones
(Tipo de panel: VBHNxxxSJ47 ・・・con conector y cable)
Figura 9: Dimensiones
12
V B H N 33 0S J4 7
96
96
325
330
57,6
58,0
5,65
5,7
69,6
69,7
6,03
6,07
Heterounión de silicio*
1 000
1 000
1 5
1 5
4
4
V B H N 33 0S J4 7
1 590
1 590
1 053
1 053
35
35
1 9
1 9
* Todos los orificios son simétricos respecto del centro del
panel.
Dimensiones en mm
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