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ESPECIFICACIONES
Unidad de AF
Elemento
Pie del microscopio aplicable
Iluminador aplicable
Accesorio intermedio
aplicable
Tubo de observación aplicable
Revólver portaobjetivos aplicable
Módulos de observación
aplicables
Caja de control aplicable
Controlador
Método de detección del AF
Objetivos aplicables
Métodos de observación
aplicables
Número de campo
Velocidad de AF
Repetibilidad del AF
Rango de seguimiento de
la muestra
Dimensiones
Peso
14
U-AFA2M-VIS
U-BI30-2, U-TR30-2, U-ETR-4, U-TLU, U-SWTR-3, U-SWETR, U-SWETTR-5, MX-SWETTR.
U-D6REMC, U-D6BDREMC, U-D5BDREMC, U-P5REMC, U-P5BDREMC, U-D6REM, U-D5BDREM.
Corredera DIC: U-DICR, U-DICRH, U-DICRHC.
Unidad de ranura del analizador: MX-AFDIC.
BX-UCB (Se necesitan el U-AFA2M-CB y el software especializado)
Autoenfoque activo de reflexión de la división pupilar utilizando un diodo láser y un detector de dos divisiones.
Proyección multipunto.
Longitud de onda láser: 775-800 nm (Clase 1 IEC60825-1:2007/IEC60825-1:2014)
Duración del impulso láser: 0,5–2,5 ms
Frecuencia del impulso: 100 Hz.
Potencia máxima de salida temporal: 200 μW (haz paralelo)
Salida del diodo laser interno:
Divergencia de haces: // = 7 a 13 grados,
Potencia máxima: 10 mW
Véase la página 2 para más información sobre los objetivos aplicables.
Campo claro de luz reflejada.
Campo oscuro de luz reflejada.
DIC de luz reflejada (utilizando un analizador
U-AN + MX-AFDIC).
Luz polarizada simplificada con luz reflejada
(utilizando un analizador U-AN + MX-AFDIC).
22 (20 para observación con cámara)
0,2 seg. desde la proximidad del punto focal.
Dentro de la profundidad focal del objetivo en uso.
5X: ±5000 μm o más.
10X: ±2000 μm.
20X: ±1100 μm.
50X: ±400 μm.
100X: ±100 μm.
150X: ±50 μm.
El rango de seguimiento depende de la
reflectividad de la muestra y del objetivo en uso.
Las cifras mencionadas son algunos de los
ejemplos en una observación de campo
claro de una muestra
(reflecividad en torno al 45%), utilizando un
objetivo LMPlanFl de 5X a 100XBD o un
objetivo LMPlanApo de150XBD.
108 (Ancho) y 45 (Alto) y 313 (Profundidad) mm
BX61TRF + BX-RLAA
BXFMA
BX-RLAA, BXFMA-F
Polarizador: U-PO3, U-POTP3.
Analizador: U-AN, U-AN360-3.
Ordenador
= 23 a 33 grados
Campo claro de luz reflejada.
Campo oscuro de luz reflejada.
DIC de luz reflejada (utilizando un analizador
U-AN + MX-AFDIC).
Luz polarizada simplificada con luz reflejada
(utilizando un analizador U-AN + MX-AFDIC).
5X: ±5000 μm o más.
10X: ±2000 μm.
20X: ±1100 μm.
50X: ±400 μm.
100X: ±100 μm.
150X: ±50 μm.
DUV: ±50 μm.
El rango de seguimiento depende de la
reflectividad de la muestra y del objetivo en uso.
Las cifras mencionadas son algunos de los
del disco IC
ejemplos en una observación de campo claro
de una muestra del disco IC (reflecividad en torno
al 45%), utilizando un objetivo LMPlanFl de 5X a
100XBD o un objetivo LMPlanApo de150XBD.
2,6 kg
U-AFA2M-DUV
U-UVF248-IM
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