STAMOS S-Plasma Serie Manual De Instrucciones página 41

S-PLASMA 120
9
8
IGbT IGBT:
Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką elektrody
(z ang. Insulated Gate Bipolar Transistor, w skrócie IGBT)
jest elementem półprzewodnikowym, który stosuje się w
elektronicznych układach dużej mocy, ponieważ posiada
zalety tranzystora bipolarnego (np.: wysoka przewodność,
wysokie napięcie zaporowe, trwałość wykonania w
spawarkach) oraz zalety tranzystora polowego z izolowaną
bramką (zasterowanie prawie bez straty mocy). Do zalet
należy również odporność na zwarcia, ponieważ IGBT
ogranicza prąd obciążenia. Układy IGBT stanowią dalszy
krok rozwoju pionowych układów mocy MOSFET.
80
PL
2
4
0
1
7
10
5
6
WYPOSAŻENIE
1
3
1. Reduktor ciśnienia + manometr
2. Wąż powietrzny
4. Zacisk masy
5. Palnik plazmowy
81
PL
4