Datos Eléctricos - SICK deTem4 Core Instrucciones De Uso

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DATOS TÉCNICOS
52 I N S T R U C C I O N E S D E U S O | deTem4 Core
Datos eléctricos
Tabla 9: Datos eléctricos
Datos servicio
Clase de protección
1)
Tensión de alimentación U
V
Ondulación residual
4)
Consumo de corriente
Emisor
Receptor
Consumo de potencia
Emisor
Receptor
Tiempo de conexión al aplicar la ten‐
sión de alimentación del emisor y el
receptor
Salidas conmutadas seguras (OSSD)
Tipo de salida
Duración del estado OFF
Retardo de conexión
Tensión de salida - estado ON (HIGH)
6)
Tensión de salida - estado OFF (LOW)
6) 7)
Intensidad de salida - estado ON
(HIGH)
Corriente de fuga
Capacidad de carga
Inductancia de carga
Datos de pulso de test 8)
Duración de impulso de prueba
Velocidad de pulso de test
Resistencia de línea admisible
Entre el dispositivo y la carga
Cable de alimentación 10)
1) Muy baja tensión de protección de seguridad SELV/PELV.
2) De conformidad con IEC 60204-1, la fuente de alimentación externa debe soportar un corte breve de
20 ms en la red eléctrica. Entre sus accesorios, SICK dispone de fuentes de alimentación apropiadas.
3) En el circuito de alimentación aislado de 24 V CC del dispositivo, se debe incorporar un fusible con una
corriente nominal de 2 A como máximo, a fin de limitar la corriente disponible.
4) Dentro de los límites de U .
V
5) Válido para las tensiones dentro de un rango de −30 V a +30 V.
6) Según IEC 61131-2.
7) Los valores indicados corresponden a la tensión de conmutación suministrada por el dispositivo. Si se
suministran tensiones externas más altas, podría sobrepasarse el valor máximo de 2,0 V.
8) Cuando están activas, las salidas se comprueban cíclicamente (breve conmutación LOW). Cuando selec‐
cione los elementos de control a los que se conecta este equipo, asegúrese de que los parámetros indi‐
cados arriba no provoquen una desconexión.
deTem4 Core
III (IEC 61140)
24 V CC (19,2 V CC ... 28,8 V CC)
2) 3)
≤ ± 10%
≤ 50 mA
≤ 150 mA
≤ 1,44 W
≤ 4,32 W
≤ 2 s
2 semiconductores PNP, a prueba de cortocircuitos
con supervisión de cortocircuito
≥ 100 ms
Típico 3 × tiempo de respuesta
(V – 2,25 V) ... V
S S
0 V ... 2,0 V
≤ 300 mA por OSSD
≤ 2 mA por OSSD
≤ 2,2 µF
≤ 2,2 H
≤ 300 µs (típ.150 µs)
3 s ... 10 s (típ. 5 s
–1 –1
≤ 2,5 Ω
9)
≤ 1 Ω
)
–1
8014290/ZKD8/2017-03-23 | SICK
Sujeto a cambio sin previo aviso
5) ,