Potencia máxima (Pmax)
Tensión de circuito abierto (Voc)
Tensión de cortocircuito (Isc)
Tensión a la máxima potencia (Vpm)
Corriente a la máxima potencia (Ipm)
Número de células en serie
Tipo de célula
Tensión máxima del sistema (Vsys)
Amperaje máximo de protección contra sobrecorriente
Diodo de derivación instalado de fábrica
Largo x ancho x alto
Peso
Heterounión de silicio*: Silicio monocristalino/heterounión de silicio amorfo
Vista frontal
Nota) Los paneles se instalan utilizando un montaje simétrico de 4 puntos dentro de un margen de ajuste (zona sombreada).
Tabla 1-2. Especificaciones del modelo
Modelo
+10/-0 %
±10 %
≥90 %
Vista lateral
Figura 1-2. Dimensiones del panel (VBHNxxxSJ40)
W
V
A
V
A
uds.
V
A
uds.
mm
kg
526,5
Distancia entre el orificio de instalación (1005)
* Todos los orificios son simétricos respecto del centro del panel.
Sección A-A'
5
VBHN285SJ40
285
63,5
5,91
52,0
5,49
88
Heterounión de silicio*
1000
15
4
1463 × 1053 × 46
18
Dimensiones en mm
Vista trasera
Sección B-B'
13±0,3