Lenovo ThinkSystem D2 Serie Guía De Configuración página 95

• Instale los DIMM (en filas) con mayor capacidad primero, siguiendo la secuencia de instalación del modo
de memoria a utilizar.
• El nodo admite únicamente módulos de memoria dual en línea (DIMM) de acceso aleatorio dinámico
síncrono (SDRAM) de doble velocidad de datos 4 (DDR4) PC4-21300 de 2666 MT/s (de una o dos filas)
estándar del sector, sin almacenamiento intermedio o con código de corrección de errores (ECC).
• No mezcle los RDIMM, LRDIMM y los DIMM 3DS en el mismo nodo.
• La velocidad máxima de funcionamiento del nodo está determinada por el DIMM más lento del nodo.
• Si instala una pareja de DIMM en los conectores DIMM 1 y 3, el tamaño y la velocidad de los DIMM que
instale en dichos conectores deben coincidir entre sí. Sin embargo, no tienen que ser del mismo tamaño y
velocidad que los DIMM que estén instalados en los conectores de DIMM 2 y 4.
• Puede utilizar DIMM compatibles de varios fabricantes en la misma pareja.
• Las especificaciones de un DIMM DDR4 se encuentran en una etiqueta del DIMM, con el formato
siguiente.
• gggGBpheRxff PC4-wwwwaa-mccd-bb
donde:
– gggGB es la capacidad total, en gigabytes, del bus primario (sin contar ECC) 4 GB, 8 GB, 16 GB, etc.
(Sin espacio entre dígitos y unidades)
– pheR es el número de filas del módulo de memoria instalada y el número de filas lógicas por cada fila
del módulo
– p =
• 1 = 1 fila de módulo de SDRAM instalada
• 2 = 2 filas de módulo de SDRAM instaladas
• 3 = 3 filas de módulo de SDRAM instaladas
• 4 = 4 filas de módulo de SDRAM instaladas
– he = en blanco para las DRAM monolíticas, otros valores para módulos que utilizan DRAM apilada:
• h = tipo de módulo DRAM
– D = apilado de DRAM de carga múltiple (DDP)
– Q = apilado de DRAM de carga múltiple (QDP)
– S = apilado de DRAM de una sola carga (3DS)
• e = en blanco para SDP, DDP y QDP, otros valores para los módulos que utilizan pilas 3DS con
filas lógicas por cada fila del módulo Tiene las variables siguientes:
– 2 = 2 filas lógicas en cada fila del módulo
– 4 = 4 filas lógicas en cada fila del módulo
– 8 = 8 filas lógicas en cada fila del módulo
– R = filas(s)
– xff = organización del dispositivo (ancho de bits de datos) de SDRAM utilizados en este conjunto
• x4 = organización x4 (cuatro líneas DQ por cada SDRAM)
• x8 = organización x8
• x16 = organización x16
– wwwww es el ancho de banda del DIMM, en MBps: 2133, 2400, 2666, 2933, 3200
– aa es el grado de velocidad de SDRAM
– m es el tipo de DIMM
.
Capítulo 3 Configuración de hardware de solución
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