I I D D ] ] C C L L A A S S S S . . B B A A T T T T E E R R I I A A
T T I I P P O O B B A A T T T T . . : :
V V O O L L T T . . B B A A T T . . : :
2 2 S S 7 7 , , 4 4 V V
C C A A P P A A C C I I T T À À : :
3 3 2 2 0 0 0 0 m m A A h h
C C O O R R R R . . C C A A R R I I G G A A : :
C C O O R R R R . . S S C C A A R R . . : :
V V O O L L T T . . S S C C A A R R . . : :
C C U U T T - - T T E E M M P P . . : :
La procedura necessaria per la programmazione di un chip BID corrisponde completa-
mente a quella relativa alla programmazione di un campo di memoria per una batteria
vista in precedenza. L'unica differenza in questo caso riguarda l'aggiunta dell'immissio-
ne della data. Si consiglia a tal proposito di immettere la data riferita al primo utilizzo
della batteria. Si prega di consultare a tale scopo il paragrafo 5.3, riportante la descrizi-
one dettagliata della programmazione insieme ai valori limite relativi a ciascun singolo
S S A A L L V V A A R R I I D D A A T T I I
M M O O D D I I F F I I C C A A T T I I
S S A A L L V V A A R R E E ? ?
N N O O
S S I I / /
P P R R E E G G O O A A T T T T E E E E N N D D E E R R E E
M M E E M M O O R R I I Z Z Z Z O O Z Z I I O O N N E E N N U U O O V V I I
D D A A T T I I I I N N C C O O R R S S O O
10. PROCEDURE DI RICARICA / SCARICA CON CHIP BID
I I D D ] ] S S I I S S T T E E M M A A B B I I D D
L L i i P P o o 3 3 S S 1 1 1 1 . . 1 1 V V
8 8 2 2 0 0 m m A A h h
U U L L T T I I M M A A C C A A R R = =
8 8 4 4 4 4 m m A A h h
U U L L T T I I M M A A S S C C A A R R . . = = 8 8 3 3 1 1 m m A A h h
C C A A R R . . M M A A X X . . = =
8 8 8 8 2 2 m m A A h h
S S C C A A R R . . M M A A X X . . = =
8 8 6 6 4 4 m m A A h h
C C A A R R . . C C O O M M P P L L = =
D D A A T T A A = =
2 2 0 0 0 0 6 6 / / 0 0 1 1 / / 0 0 1 1
I I D D ] ] S S I I S S T T E E M M A A B B I I D D
L L i i P P o o 2 2 S S 7 7 . . 4 4 V V
7 7 0 0 0 0 m m A A h h
< <
R R I I C C A A R R I I C C A A
C C V V - - C C C C
S S C C A A R R I I C C A A
< < L L I I N N E E A A R R
C C I I C C L L O O
< < C C A A R R - - > > S S C C A A R R > >
Istruzioni per l'uso
POWER PEAK Infinity 3
Premendo il tasto '3-D-Hotkey' si accede all'impostazio-
L L i i P P o o
ne del valore evidenziato. La grandezza da modificare
viene visualizzata dal cursore e può quindi essere rego-
lata mediante tasto '3-D-Hotkey'.
3 3 . . 2 2 A A
3 3 . . 2 2 A A
3 3 . . 0 0 V V / / Z Z
5 5 5 5 o o C C
parametro.
Per concludere correttamente la programmazione occor-
re evidenziare ed attivare la riga 'FINE'. Se è stato effet-
tuato un cambiamento in una programmazione già esi-
stente,oppure se la procedura risulta nuova, compare sul
display una domanda di conferma come illustrato nell'e-
sempio a fianco. Ruotare e quindi premere il tasto '3-D-
Hotkey' per selezionare e confermare la risposta.
Una volta confermata la memorizzazione, viene raffigu-
rata sul display la procedura di memorizzazione insieme
alla notifica illustrata nell'immagine a fianco. Un breve
segnale acustico alla fine segnala che la procedura di
memorizzazione è stata completata con successo.
Dopo aver immesso e memorizzato i dati BID, compare
nuovamente sul display la schermata del 'SISTEMA BID'
. Nella seconda riga vengono visualizzati ad intermitten-
za i parametri di ricarica / scarica programmati dall'uten-
te. Tale schermata (che compare anche ogniqualvolta
venga collegato un Chip BID, vedi par. 9) consente poi di
0 0
accedere al menu utile per avviare la procedura deside-
rata.
Per accedere a tale menu occorre mantenere premuto
per almeno 2 secondi il tasto '3-D-Hotkey'. Viene quindi
visualizzato il menu che consente di avviare un ciclo o
una fase di ricarica / scarica. La procedura è identica a
> >
quella necessaria per avviare la ricarica / scarica di una
> >
delle 10 posizioni di memoria; sono inoltre disponibili i
medesimi parametri e le stesse impostazioni. Si prega
pertanto di consultare attentamente la rappresentazione
riportata a pagina 15 (par. 6.1) che descrive dettagliata-
mente tale procedura.
23
Art.N.
8429