Tabla de contenido
Publicidad
A
K
7
7
-
3
3
3
A
K
7
7
-
3
3
3
E
E
C
C
C
C
(
(
C
C
o
o
m
m
p
p
r
r
o
o
b
b
a
a
c
c
i
i
ó
ó
n
n
y
y
c
c
o
o
El modo ECC necesita 8 bits ECC para 64-bit de datos. Cada vez que se accede a la memoria, los bits ECC son actualizados y
comprobados por un algoritmo especial. El algoritmo ECC tiene la capacidad de detectar errores doble-bit y corregir
automaticamente el error de simple-bit mientras que el modo de paridad sólo puede detectar el error de simple-bit.
E
D
O
(
E
x
t
e
n
d
e
d
D
a
t
a
O
u
t
E
D
O
(
E
x
t
e
n
d
e
d
D
a
t
a
O
u
t
La tecnología EDO DRAM es realmente muy parecida a la FPM (Fast Page Mode). A diferencia de la FPM tradicional que
mantiene tres estados de reloj los datos de salida de memoria para comenzar la actividad de precarga, EDO DRAM mantiene
válidos los datos de la memoria hasta el próximo ciclo de acceso a memoria, lo que es parecido al efecto pipeline y reduce el
tiempo en un estado de reloj.
E
E
P
R
O
M
(
E
l
e
c
t
r
o
n
i
c
E
r
a
E
E
P
R
O
M
(
E
l
e
c
t
r
o
n
i
c
E
r
a
2
También se conoce como E
PROM. Ambas EEPROM y
tecnología de la interfaz es diferente. El tamaño de la EEPROM es mucho más pequeño que el de la flash ROM.
E
E
P
P
R
R
O
O
M
M
(
(
E
E
r
r
a
a
s
s
a
a
b
b
l
l
e
e
P
P
r
r
o
o
g
g
r
r
a
a
Una placa base tradicional almacena el código de la BIOS en una EPROM. La EPROM sólo puede ser borrada por la luz
ultravioleta (UV). Si hay que actualizar la BIOS, hay que desmontar la EPROM de la placa base, borrarla con luz UV,
reprogramarla, y volver a montarla en la placa.
r
r
r
r
e
e
c
c
c
c
i
i
ó
ó
n
n
d
d
e
e
e
e
r
r
r
r
o
o
r
r
)
)
p
u
t
)
M
e
m
o
r
y
p
u
t
)
M
e
m
o
r
y
s
a
b
l
e
P
r
o
g
r
a
m
m
a
b
l
e
R
O
s
a
b
l
e
P
r
o
g
r
a
m
m
a
b
l
e
R
O
Flash ROM
pueden reprogramarse por señales electrónicas, pero la
m
m
m
m
a
a
b
b
l
l
e
e
R
R
O
O
M
M
)
)
94
M
a
n
u
a
l
o
n
M
a
n
u
a
l
o
M
)
M
)
l
i
n
e
n
l
i
n
e
Publicidad
Tabla de contenido
