Dados Técnicos; Desenhos Dimensionais - SICK WTB4-3P2100S79 Monitoring Manual De Instrucciones

11
DADOS TÉCNICOS
11 Dados técnicos
11.1 Dados técnicos
Distância de comutação recomendada para atingir o melhor desempenho
Distância de comutação máx.
Tamanho do ponto de luz / distância
Tensão de alimentação U
Ondulação residual
Corrente de saída I
Consumo de corrente
Frequência de comutação
Tempo máx. de resposta
Tipo de proteção
Classe de proteção
Circuitos de proteção
Temperatura ambiente, operação
1) Objeto a ser detectado com 90% de percentual de reflexão (com base no padrão branco DIN 5033)
2) Valores-limite conexões
U seguras contra inversão de polaridade
B
ondulação residual máx. 5 V
3) Com proporção sombra/luz 1:1
4) Tempo de funcionamento do sinal com carga ôhmica
5) Tensão de dimensionamento CC 50 V
6) A = conexões protegidas contra inversão de pólos U
C = Supressão de impulsos parasitas
pt D = Saídas protegidas contra sobrecorrente e curto-circuito
11.2

Desenhos dimensionais

80 M A N U A L D E I N S T R U Ç Õ E S | WTB4-3P2100S79 Monitoring
Sujeito a alterações sem aviso prévio. As propriedades do produto e os dados técnicos
especificados não constituem nenhum certificado de garantia.
B
max.
ss
Direção preferencial do material a ser detectado
1
Centro do eixo do sistema óptico, emissor
2
Centro do eixo do sistema óptico receptor
3
B
WTB4-3P2100S79
30 ... 150 mm
30 ... 150 mm
1)
7 mm / 50 mm
DC 10 ... 30 V 2)
100 mA
2 Hz
3)
250 ms 4)
IP67
III 5)
A, C, D
6)
-40 ... +60 °C
8027117.1COU/2022-02-14 | SICK
Sujeito a alteração sem aviso prévio