hFE
Factor de amplificación de corriente de
un transistor
Ω
Resistencia
+ -
Batería descargada
CAT
Categoría de medición IEC EN 61010-1
Carcasa doblemente aislada
CE
Símbolo de conformidad de la UE
Símbolo de tierra
4. Dados técnicos
Dimensiones:
Masa:
Display:
Tensión de trabajo:
Fusible:
Conectores:
Medición/Segundos:
Indicación de sobrecarga: "1" en el display
Protección contra sobrecarga:
Alcances de tensión:
Alcances de corriente:
Alcance de 2 A:
Alcance de 10 A:
Temperatura de trabajo: 0°C – 40°C con 0 – 75%
Temperatura de
almcenamiento:
Seguridad eléctrica:
Determinaciones de
seguridad:
Categoría de sobretensión: CAT I: 600 V
Grado de contaminación: 2
Clase proteción:
Conformidad electromagnética:
Radiación electro-
magnética generada:
Inmunidad electromag.: EN 61326-1:2013
aprox. 90x190x35 mm
aprox. 310 g (con batería)
3½ posiciones LCD,
24 mm, max. 1999
Batería de 9-V 6F22
F 2 A / 600 V
F10 A / 600 V
Casquillos de seguri-
dad de 4 mm
2 – 3 veces
1000 V CC o de 750 V
CA de carga perma-
nente en todos los al-
cances de tensión
max. 2 A
max. 10 A por 10 s,
cada 15 min
Humedad
-10°C – 50°C con 0 –
75% Humedad
EN 61010-1
IP20
EN 55011:2009
V CC
Alcance de
medida
2 V
20 V
200 V
600 V
Impedancia de entrada:
V CA
Alcance de
medida
2 V
20 V
3
200 V
600 V
Impedancia de entrada:
Alcance de frecuencia:
A CC
Alcance de
medida
20 µA
200 µA
2 mA
20 mA
200 mA
2 A
10 A
Caída de tensión en la medición: 200 mV
A CA
Alcance de
medida
20 µA
200 µA
2 mA
20 mA
200 mA
2 A
10 A
Caída de tensión en la medición: 200 mV
Alcance de frecuencia:
3
Resolu-
Exactitud
ción
1 mV
±(0,8% + 5 di-
10 mV
gits)
100 mV
±(1,0% + 5 di-
1 V
gits)
10 MΩ
Resolu-
Exactitud
ción
1 mV
±(1,0% + 5 di-
10 mV
gits)
100 mV
±(1,2% + 5 di-
1 V
gits)
10 MΩ
40 – 400 Hz
Resolu-
Exactitud
ción
10 nA
100 nA
±(1,8% + 2 digits)
1 µA
10 µA
100 µA
±(2,0% + 2 digits)
1 mA
±(2,0% + 10 di-
gits)
10 mA
Resolu-
Exactitud
ción
10 nA
±(2,0% + 5 digits)
100 nA
1 µA
±(2,0% + 3 digits)
10 µA
100 µA
±(2,0% + 5 digits)
1 mA
±(2,0% + 10 di-
gits)
10 mA
40 – 400 Hz