Publicidad
Tabla 15. Secuencia de llenado de DCPMM: modo de aplicación directa
Nota:
D1: representa RDIMM (densidad de DIMM≥16 GB) que se pueden instalar en las ranuras DIMM
correspondientes.
P: solo se puede instalar DC Persistent Memory Module (DCPMM) en las ranuras DIMM correspondientes.
Confi-
Modo de
gura-
operación
ción
8
Modo de
1 AEP
D1
aplicación
y 12
directa (no
DIMM
intercala-
do)
Modo de
1 AEP
D1
aplicación
y 12
directa +
DIMM
modo de
duplicación
(no
intercala-
do)
Modo de
2 AEP
D1
aplicación
y 12
directa (no
DIMM
intercala-
do)
Modo de
2 AEP
D1
aplicación
y 12
directa +
DIMM
modo de
duplicación
(no
intercala-
do)
Modo de
4 AEP
D1
aplicación
y 12
directa
DIMM
(intercalado
y no
intercala-
do)
Modo de
4 AEP
D1
aplicación
y 12
directa +
DIMM
modo de
duplicación
(intercalado
o no
intercala-
do)
52
Guía de configuración de la bandeja DWC de nodo dual ThinkSystem SD650 y el alojamiento DWC NeXtScale n1200
Secuencia de llenado de DCPMM: modo de aplicación directa
Procesador 1
Ranura DIMM
7
6
5
4
D1
P
D1
D1
D1
P
D1
D1
D1
P
D1
D1
D1
P
D1
D1
D1
P
D1
D1
D1
P
D1
D1
3
2
1
16
15
D1
D1
D1
D1
D1
D1
D1
D1
D1
D1
D1
D1
D1
D1
D1
D1
P
D1
D1
D1
D1
P
D1
D1
D1
D1
Procesador 2
Ranura DIMM
14
13
12
11
10
D1
D1
D1
D1
D1
D1
P
D1
D1
D1
P
D1
D1
D1
P
D1
D1
P
D1
P
D1
D1
P
D1
9
D1
D1
D1
D1
D1
D1
Publicidad
