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Elemento
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Para obtener la información más reciente sobre las memorias compatibles, consulte las QuickSpecs
(Especificaciones rápidas) en la página web de HP
quickspecs/ProductBulletin.html). En la página web, seleccione la región geográfica y, a
continuación, busque el producto por nombre o por categoría de producto.
Configuraciones de memoria
Para optimizar la disponibilidad del servidor, éste admite los siguientes modos AMP:
●
El modo ECC: avanzado proporciona hasta una corrección de errores de hasta 4 bits y un
rendimiento mejorado para el modo de sincronía. Este modo es la opción predeterminada para
el servidor.
●
Memoria auxiliar en línea: proporciona protección contra módulos DIMM estropeados o
deteriorados. Se aparta una cantidad de memoria determinada como memoria auxiliar; cuando
el sistema detecta un DIMM deteriorado, se cambia automáticamente a la memoria auxiliar (de
reserva). Esto permite que los DIMM que tienen una probabilidad más alta de recibir un error de
memoria incorregible (que causaría un tiempo de inactividad del sistema) dejen de funcionar.
Las opciones de protección de memoria avanzada se configuran en la RBSU. Si el modo de AMP
solicitado no es compatible con la configuración DIMM instalada, el servidor arrancará en el modo
ECC avanzada. Para obtener más información, consulte "HP ROM-Based Setup Utility"
Based Setup Utility en la página
El servidor también puede funcionar en el modo de canal independiente, o bien en el modo de canal
combinado (sincronía). Cuando se usa el modo de sincronía, la fiabilidad mejora de una de estas dos
formas:
●
Si se ejecuta con módulos UDIMM (creados con dispositivos DRAM x8), el sistema puede
sobrevivir a un fallo completo de la DRAM (SDDC). En el modo de canal independiente, este
fallo supondría un error sin solución.
●
Si se ejecuta con módulos RDIMM (creados con dispositivos DRAM x4), el sistema puede
sobrevivir a un fallo completo de dos dispositivos DRAM (DDDC). Si se ejecuta en modo
independiente, el servidor solo puede sobrevivir al fallo completo de un solo dispositivo de
memoria DRAM (SDDC).
Capacidad máxima
ESES
Descripción
Tensión de funcionamiento
Velocidad de memoria
Tipo de DIMM
(http://h18000.www1.hp.com/products/
109).
Definición
L = bajo voltaje (1,35 v)
U = voltaje ultrabajo (1,25 v)
Omitido o en blanco = Estándar
12800 = 1600-MT/s
10600 = 1333-MT/s
8500 = 1066-MT/s
R = RDIMM (registrado)
E = UDIMM (sin búfer con ECC)
L = LRDIMM (de carga reducida)
H = HDIMM (HyperCloud)
(HP ROM-
Opciones de memoria
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