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Un DIMM de rango único posee un conjunto de chips de memoria al que se accede mientras se
escribe o lee en la memoria. Un módulo DIMM de rango doble equivale a dos módulos DIMM de
rango único en el mismo módulo; únicamente es posible acceder a un rango en cada momento. En la
práctica, un módulo DIMM de cuatro rangos equivale a dos módulos DIMM de rango doble en el
mismo módulo. Solo es posible acceder a un rango cada vez. El subsistema de control de la
memoria del servidor selecciona el rango adecuado del módulo DIMM cuando escribe en un DIMM
o lee desde éste.
Las memorias DIMM de rango doble y cuatro rangos proporcionan la mayor capacidad con la
tecnología de memoria existente. Por ejemplo, si la tecnología DRAM actual admite memorias DIMM
de rango único de 8 GB, una memoria DIMM de doble rango tendría 16 GB, y una memoria DIMM de
cuatro rangos, 32 GB.
Los módulos LRDIMM se etiquetan como módulos DIMM de cuatro rangos. Hay cuatro rangos de
memoria DRAM en el módulo DIMM, pero el búfer de LRDIMM crea una abstracción que permite que
el módulo DIMM parezca un módulo DIMM de rango doble para el sistema. El búfer de LRDIMM
aísla la carga eléctrica de la memoria DRAM del sistema para permitir un funcionamiento más rápido.
Esto permite una mayor velocidad de funcionamiento de la memoria en comparación con la de los
módulos RDIMM de cuatro rangos.
Identificación de los módulos DIMM
Para determinar las características del módulo DIMM, utilice la etiqueta adherida al DIMM, y la tabla
y la ilustración siguientes.
Elemento
1
2
3
4
ESES
Descripción
Capacidad
Rango
Ancho de datos
Generación de memoria
Definición
8 GB
16 GB
32 GB
1R = rango único
2R = rango doble
4R = cuatro rangos
x4 = 4-bits
x8 = 8-bits
DDR4
Opciones de memoria
67
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