Hp Smartmemory; Arquitectura Del Subsistema De Memoria; Módulos Dimm De Rango Único, Rango Doble Y Cuatro Rangos - HP ProLiant DL160 Gen9 Guía De Usuario

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Tipo
RDIMM
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LRDIMM
LRDIMM

HP SmartMemory

HP SmartMemory autentica y desbloquea ciertas características disponibles solo en la memoria
HP Qualified y verifica si la memoria instalada ha pasado los procesos de certificación y de pruebas
de HP. La memoria Qualified presenta un rendimiento ajustado a los servidores HP ProLiant y
BladeSystem y proporciona mayor compatibilidad a través del software de gestión y HP Active
Health.

Arquitectura del subsistema de memoria

El subsistema de memoria de este servidor se divide en dos canales. Cada procesador admite cuatro
canales y cada canal admite dos ranuras DIMM.
Canal
1
2
3
4
Para conocer la ubicación de los números de ranura, consulte "Ubicación de las ranuras DIMM
(Ubicación de las ranuras DIMM en la página
Esta arquitectura de varios canales permite lograr un mejor rendimiento en el modo ECC avanzado.
Esta arquitectura también permite el modo de memoria auxiliar en línea.
Las ranuras de DIMM de este servidor se identifican por un número y letra. Las letras identifican el
orden de ocupación. Los números de ranura indican el ID de la ranura DIMM auxiliar (de reserva).
Módulos DIMM de rango único, rango doble y cuatro rangos
Para comprender y configurar los modos de protección de memoria correctamente, resulta útil tener
conocimientos sobre los módulos DIMM de rango único, rango doble y cuatro rangos. Algunos
requisitos de configuración de módulos DIMM se basan en estas clasificaciones.
Un DIMM de rango único posee un conjunto de chips de memoria al que se accede mientras se
escribe o lee en la memoria. Un módulo DIMM de rango doble equivale a dos módulos DIMM de
rango único en el mismo módulo; únicamente es posible acceder a un rango en cada momento. En la
56
Capítulo 4 Instalación de opciones de hardware
Rango
Uno
Doble
Doble
Cuádruple
Orden de ocupación
A
E
B
F
C
G
D
H
8)".
1 DIMM por canal
2133 MT/s
2133 MT/s
2133 MT/s
2133 MT/s
Número de ranura
8
7
6
5
1
2
3
4
2 DIMM por canal
2133 MT/s
2133 MT/s
2133 MT/s
2133 MT/s
ESES

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