Siemens SITRANS P500 Instrucciones De Operación página 157

Certificati e omologazioni
capacità interna effettiva
Protezione contro le esplosioni per gli
•
Stati Uniti (secondo FM)
Certificate of Compliance
•
Marchio (XP/DIP) o (IS)
Temperatura ambiente consentita
Parametri entità
Marchio (NI/S)
Temperatura ambiente consentita
Parametri NI/S
Protezione contro le esplosioni per il
•
Canada (secondo CSA
C
Certificate of Compliance
•
Marchio (XP/DIP)
Temperatura ambiente consentita
Parametri entità (XP/DIP)
Marchio (ia/ib)
Temperatura ambiente consentita
Parametri entità
Marchio (NI/n)
Temperatura ambiente consentita
Parametri NI/nA
SITRANS P500 con HART
A5E02344532-04, 12/2014
C = 6 nF
i
XP CL I, DIV 1, GP ABCD T4/T6;
DIP CL II, III, DIV 1, GP EFG T4/T6;
IS CL I, II, III, DIV 1, GP ABCDEFG T4
CL I, Zone 0, AEx ia IIC T4;
CL I, Zone 1, AEX ib IIC T4
T = T4: -40 ... +85 °C (-40 ... +185 °F)
a
T = T6: -40 ... +60 °C (-40 ... +140 °F)
a
secondo "control drawing":
U = 30 V, I
m
P = 750 mW, L
i
NI CL I, DIV 2, GP ABCD T4/T6;
NI CL I, Zone 2, GP IIC T4/T6;
S CL II, III, GP FG T4/T6;
NI CL I, DIV 2, GP ABCD T4/T6, NIFW;
NI CL I, Zone 2, GP IIC T4/T6, NIFW
NI CL II, III, DIV 2, GP FG T4/T6, NIFW
T = T4: -40 ... +85 °C (-40 ... +185 °F)
a
T = T6: -40 ... +60 °C (-40 ... +140 °F)
a
secondo "control drawing":
Um = 45 V, Li = 400 μH, C
)
US
CL I, DIV 1, GP ABCD T4/T6;
CL II, DIV 1, GP EFG T4/T6
T = T4: -40 ... +85 °C (-40 ... +185 °F)
a
T = T6: -40 ... +60 °C (-40 ... +140 °F)
a
secondo "control drawing":
V = 45 V
max
CL I, Ex ia/Ex ib IIC, T4;
CL II, III, Ex ia/Ex ib, GP EFG, T4;
CL I, AEx ia/AEx ib IIC, T4;
CL II, III, AEx ia/ AEx ib, GP EFG, T4
T = T4: -40 ... +85 °C (-40 ... +185 °F)
a
U = 30 V, I
i
R = 300 Ω, L
i
CL I, DIV 2, GP ABCD T4/T6;
CL II, III, DIV 2, GP FG T4/T6;
Ex nA IIC T4/T6;
AEx nA IIC T4/T6;
Ex nL IIC T4/T6;
AEx nL IIC T4/T6
Ta = T4: -40 ... +85 °C (-40 ... +185 °F)
Ta = T6: -40 ... +60 °C (-40 ... +140 °F)
secondo "control drawing":
U = 45 V
m
= 100 mA,
m
= 400 μH, C = 6 nF
i i
= 6 nF
i
= 100 mA, P = 750 mW,
i i
= 400 μH, C = 6 nF
i i
155