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2.3.3
MOSFET
El segundo tipo de FET es el MOSFET (Transistor de Efecto de Campo de Semiconductor de
Óxido de Metal). Este transistor se puede hacer de silicio solamente, porque se basa en las
características del óxido de silicio. El MOSFET tiene 3 terminales el Dren, la Fuente y la Puerta. La
puerta está aislada del material del semiconductor por el óxido de silicio, según lo mostrado en la
figura siguiente:
S
B
-
Cuando no hay voltaje en la fuente, no hay corriente entre D (Dren) y S (Fuente). El sustrato P tiene
huecos como portador de carga, pero sólo unos pocos electrones libres como portador de carga
menor.
Cuando aplicamos un voltaje positivo en la puerta (entre la puerta y los electrodos S y B (Substrato-
Grueso), los portadores de menor carga (los electrones libres) del substrato-P son atraídos a la
puerta. Se acumulan cerca de la puerta y crean un canal de tipo-n y el FET conduce.
S
B
El voltaje entre la puerta y la fuente se llama V
tipo-n y más grande es ID.
N
-
-
-
+
N
-
-
-
61
G
P
N
-
-
-
Figura 2-43
G
+
P
N
-
-
-
Figura 2-44
. Cuanto más alto es V
GS
D
D – Drain
G – Gate
S – Source
-
Silicon oxide
Metal
s
D
D – Drain
G – Gate
S – Source
-
Silicon oxide
Metal
s
, más ancho es el canal
GS
SES
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