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Los símbolos de este tipo de MOSFET son:
G
N – Channel depletion/enhancement
El MOSFET de agotamiento/mejoramiento se llama en forma corta MOSFET de agotamiento.
Las características de salida son como sigue:
El valor de V
donde la I
DS
Para cada valor de V
En las características de salida, podemos ver como I
regiones:
1)
La región de SATURACIÓN – En este rango V
2)
La región LINEAL – En este rango V
3)
La región de CORTE – En este rango V
es muy pequeño.
La ventaja principal del MOSFET es su puerta aislada. Crea una impedancia de entrada muy alta.
D
S
MOSFET
I
D
se hace constante y no depende de V
D
V
es ligeramente diferente.
GS,
P
64
G
P – Channel depletion/enhancement
Figura 2-50
V
= 2A
GS
V
= 1A
GS
V
= 0A
GS
V
= -1A
GS
V
= -2A
GS
Figura 2-51
depende de V
D
< V
e I
DS
P
B
> V
e I
depende sólo de V
DS
P
D
< V
(V
APAGADO). En esta región, I
GS
PO
GS
D
S
MOSFET
V
DS
, se llama V
(V de perforación).
DS
P
y V
. Podemos hallar 3
GS
DS
depende de V
.
DS
y no de V
GS
.
DS
D
SES
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