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Especificaciones
Salida NPN
HG-C1030
Salida PNP
HG-C1030-P
Distancia al centro
Rango de medida
Repetitividad
Linealidad
Característica de
temperatura
Diámetro del haz
2
Fuente de luz
Tensión de alimentación
Consumo
Modelo con salida NPN:
Transistor NPN en colector abierto
● Corriente máxima de sumidero: 50mA
● Tensión aplicada: máx. 30V DC
Salida de control
● Tensión residual: máx. 1,5V (para una corrien-
● Corriente de fuga: máx. 0,1mA
Operación de salida
Protección frente a
cortocircuitos
Salida analógica de
tensión
Salida analógica de
corriente
Tiempo de respuesta
Modelo con salida NPN:
Entrada sin contacto NPN
Condición de entrada:
Entrada externa
No activa: de +8 a +V DC o Abierto
Activa: de 0 a +1,2V DC
Impedancia de entrada: ≈ 10kΩ
Grado de protección
Grado de contaminación
Temperatura ambiente
Humedad ambiente
Luz ambiental
Altitud de funciona-
miento
Cable
Material
Peso
Estándares aplicables
1
Condiciones de medida: Tensión de operación de 24V, temperatura ambien-
te de 20°C, tiempo de respuesta de 10ms. El objeto de medida es cerámica
blanca.
2
Diámetro en el centro de detección. Valores determinados utilizando un 1/e
(≈13.5%) de la intensidad de luz en el centro de detección. Debido a la falta de luz
fuera del área especificada, la reflectancia alrededor del centro de detección puede
ser mayor que en los extremos, lo que puede afectar al valor medido.
HG-C1050
HG-C1050-P
30mm
50mm
±5mm
±15mm
10µm
30µm
±0.1% F.E.
≈ 50µm
≈ 70µm
Máx. potencia: 1mW, longitud de onda de emisión: 655nm
de 12 a 24V DC ±10% incluido rizado máx. 10% (P-P)
máx. 40mA (para una tensión de operación de 24V), máx. 60mA (para una tensión de operación de 12V)
(entre la salida control y 0V)
te de sumidero de 50mA)
de –10 a +45°C (Sin condensación de rocío o formación de hielo)
de 35 a 85% RH, almacenamiento: de 35 a 85% RH
Lámpara incandescente: Iluminancia máx en la superficie:3,000ℓx
Carcasa: aluminio fundido a presión, cubierta: acrílico
HG-C1100
HG-C1200
HG-C1100-P
HG-C1200-P
100mm
200mm
±35mm
±80mm
70µm
±0.2% F.E.
±0.03%F.E./°C
≈ 120µm
≈ 300µm
Semiconductor rojo láser clase 2 (JIS / IEC / GB)
Modelo con salida PNP:
Transistor PNP en colector abierto
● Corriente máxima de fuente: 50mA
● Tensión aplicada: máx. 30V DC
(entre la salida control y 0V)
● Tensión residual: máx. 1,5V (para una corriente de
fuente de 50mA)
● Corriente de fuga: máx. 0,1mA
Conmutable Con Luz o En Oscuridad
Incorporada (Reset automático)
Salida de tensión: de 0 a 5V (alarma: 5,2V)
Impedancia de salida: 100Ω
Salida de corriente: 4 a +5V (Alarma: 0mA)
Impedancia de carga: máx. 300Ω
Conmutable de 1,5ms / 5ms / 10ms
Modelo con salida PNP:
Entrada sin contacto PNP
Condición de entrada:
No activa: de 0 a +0,6V DC o Abierto
Activa: de +4 a +V DC
Impedancia de entrada: ≈ 10kΩ
IP67 (IEC)
2
Almacenamiento: de -20 a +60°C
Máx. 2000m
2m de cable de 0,2mm
≈ 35g (sin cable), ≈ 85g (incluido cable)
Directiva EMC
Panasonic Industrial Devices SUNX Co., Ltd.
http://panasonic.net/id/pidsx/global
2
Overseas Sales Dept. (Head Office)
2431-1 Ushiyama-cho, Kasugai-shi, Aichi, 486-0901, Japan
Telefon: +81-(0)-568-33-7861 FAX: +81-568-33-8591
Europe Headquarter: Panasonic Electric Works Europe AG
Robert-Koch-Straße 100, D-85521 Otttobrunn, Germany
Telefon: +49-89-45354-1000
7
● 300µm (200 a 400mm)
70µm
● 800µm (400 a 600mm)
● ±0,2% F.E.µm (200 a 400mm)
● ±0.3% F.E. (400 a 600mm)
, 5 hilos
2
HG-C1400
HG-C1400-P
400mm
±200mm
≈ 500µm
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