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Ocupación de DIMM
Velocidad de las DIMM ocupadas (MT/s) para los modos de memoria Performance (P) [Rendimiento]
y Lockstep (L) [Sincronía]
Tipo de
DIMM
RDIMM
RDIMM
RDIMM
LRDIMM
LRDIMM
Las velocidades de la memoria DDR4 se corresponden con el modo y la ocupación de canales.
Directrices de ocupación del modo de rendimiento
Para las configuraciones de la memoria del modo Perfomance (Rendimiento), tenga en cuenta las
siguientes directrices:
Coloque las DIMM de acuerdo con la tabla de ocupación de la DIMM para el modo Performance
●
(Rendimiento)
Es posible instalar los módulos DIMM de forma individual. Hewlett Packard Enterprise
●
recomienda instalar módulos DIMM por parejas.
Directrices de colocación con el modo Lockstep (Sincronía)
Para la configuración del modo de memoria Lockstep (Sincronía), tenga en cuenta las siguientes
directrices:
Todos los cartuchos de memoria deben ocuparse de forma idéntica en todos los procesadores.
●
Coloque las DIMM de acuerdo con las directrices de ocupación de la DIMM para el modo
●
Lockstep (Sincronía)
en la página
Se ha reducido el ancho de banda de la memoria aproximadamente a la mitad en la arquitectura
●
de corrección de error DDDC en comparación con el modo Performance (Rendimiento).
En un principio, instale las cuatro DIMM en 4A, 9B, 1C y 12D para el rendimiento. Por lo tanto,
●
instale las DIMM en pares alternativos entre placas A y B en el siguiente orden:
5E y 2G
◦
8F y 11H
◦
6J y 3L
◦
7K y 10M
◦
ESES
Rango de
1 DIMM por
DIMM
canal (P)
Único (8 GB)
1600 MT/s
Doble
1600 MT/s
(16 GB)
Doble
1600 MT/s
(32 GB)
Cuádruple
1600 MT/s
(32 GB)
Óctuple
1600 MT/s
(64 GB)
(Directrices de ocupación de DIMM para los modos de memoria en la página
(Directrices de ocupación de DIMM para los modos de memoria
52).
1 DIMM por
2 DIMM por
canal (L)
canal (P)
1866 MT/s
1600 MT/s
1866 MT/s
1600 MT/s
1866 MT/s
1600 MT/s
1866 MT/s
1600 MT/s
1866 MT/s
1600 MT/s
2 DIMM por
3 DIMM por
canal (L)
canal (P)
1866 MT/s
1600 MT/s
1866 MT/s
1333 MT/s
1866 MT/s
1333 MT/s
1866 MT/s
1600 MT/s
1866 MT/s
1333 MT/s
Opciones de memoria
3 DIMM por
canal (L)
1600 MT/s
1333 MT/s
1333 MT/s
1600 MT/s
1333 MT/s
52).
53
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