Semiconductores Unión P-N - AD Instruments ED-6800B Manual Del Usuario

1-1-3
<<Teoría>>
Las características de un dispositivo con unión P-N cambian en función de la temperatura.
Por ejemplo, la corriente I
manera:
I ＝ I · (ε (qVBE / KT)
E S
En donde I
S
q
K ＝ constante de Boltzmann (＝1.38 × 10
V
BE
T ＝ temperatura absoluta (K)
La ecuación anterior implica una relación no lineal entre la conductividad y la temperatura
del transistor. La Figura 1-3 muestra la estructura interna de un sensor de temperatura de
una unión P-N.
<<Características>>
Pequeño en tamaño, pero de gran precisión y con respuesta rápida. Las características no
lineales tienen que compensarse usando un amplificador apropiado. Tienen un rango de
medida relativamente estrecho: de 0 ~ 120 ºC.
<<Uso>
De propósito general. Utilizado a veces en instrumentos médicos.
Manual del entrenador ED-6800B - Traducido por AD INSTRUMENTS
Semiconductores unión P-N
del emisor de un transistor puede expresarse de la siguiente
E
-1)
＝ Corriente de saturación determinada por la temperatura de la unión
＝ carga de un electrón (＝1.6 × 10
＝ Tensión directa base - emisor
(a)
Figura 1-3. Sensor de temperatura de una unión P-N
－ 19 Culombios)
－ 23 J/K)
(b)
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