Tab. 31: Datos Eléctricos Del V4000 Pb (Continuación) - SICK V4000 Instrucciones De Servicio

Capítulo 10
Tab. 31: Datos eléctricos del
V4000 PB (continuación)
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Datos técnicos
OSSDs
Par de salidas de aviso
Tensión de corte del estado ON a 500 mA
Tensión de corte del estado OFF
Corriente de conmutación
6)
Corriente de fuga
7)
Inductancia de carga
Capacitancia
Secuencia de conmutación (sin conmutación)
Resistividad admisible
Ancho de pulso de test
Frecuencia de comprobación
Tiempo de desconexión mínimo configurable
de los OSSDs
Desfase temporal al encender los OSSDs
entre OSSD2 y OSSD1
Salidas de señalización para
– Solicitud de aprendizaje
– Solicitud de velocidad final v
Tensión de corte HIGH a 200 mA
Corriente de conmutación
Limitación de corriente (tras 5 ms a 25°C)
Tiempo de retardo de arranque
Tiempo de retardo de desconexión
5)
Para tensiones entre U y 0 V.
v
6)
En caso de error (interrupción del cable de 0 V), fluye como máximo la corriente de fuga del cable OSSD. El
elemento de control conectado a continuación debe detectar este estado como LOW. Una FSPS (Autómata
programable a prueba de fallos) debe reconocer este estado.
7)
Cuanto menor la secuencia de conmutación, mayor la inductancia de carga admisible.
8)
Limite a este valor la resistividad de cada hilo con respecto al elemento postconectado, con el fin de que se
detecte con seguridad un cortocircuito entre las salidas. (Respete también la norma EN 60 204-1.)
9)
Las salidas se prueban siempre cíclicamente en estado activo (breve conmutación LOW). A la hora de
seleccionar los elementos de control postconectados, tenga en cuenta que los pulsos de test no provocan
una desconexión.
8)
9)
slow
Instrucciones de servicio
Mínimo Típico
2 semiconductores PNP, a prueba de
5)
cortocircuitos y con supervisión de
cortocircuitos entre las salidas de
conmutación
U – 2,7 V
V
0 V 0 V
6 mA 0,2 A
Depende de la inductancia de carga
150 μs
80 ms 100 ms
100 ms 100 ms
2 ms
U – 3,3 V
V
400 mA
1,4 ms
0,7 ms
8010507/TL63/2009-11-27
V4000 PB
Máximo
U
V
3,5 V
0,5 A
250 μA
2,2 H
2,2 μF a
50
2,5
200 μs
120 ms
1000 ms
10 ms
U
V
200 mA
500 mA
2 ms
2 ms