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Elemento
3
4
5
6
Para obtener más información acerca de las características, especificaciones, opciones,
configuraciones y compatibilidad del producto, consulte las QuickSpecs (Especificaciones rápidas)
del producto en la página web de HP (http://www.hp.com/go/qs).
Memorias DIMM de rango único y rango doble
Los requisitos de configuración de los módulos DIMM se basan en estas clasificaciones:
DIMM de rango único: un conjunto de chips de memoria al que se accede mientras se escribe o
●
lee en la memoria.
Módulos DIMM de rango doble: dos módulos DIMM de rango único en el mismo módulo;
●
únicamente es posible acceder a un rango en cada momento.
El subsistema de control de la memoria del servidor selecciona el rango adecuado del módulo DIMM
cuando escribe en un DIMM o lee desde éste.
Los módulos DIMM de rango doble proporcionan la mayor capacidad con la tecnología de memoria
existente. Por ejemplo, si la tecnología DRAM actual admite módulos DIMM de rango único de 2 GB,
un módulo DIMM de rango doble tendría 4 GB.
Arquitectura del subsistema de memoria
El subsistema de memoria de este servidor se divide en dos canales. El procesador admite dos
canales, y cada canal admite dos ranuras DIMM.
Canal
1
2
ESES
Descripción
Ancho de datos
Tensión de funcionamiento
Velocidad de memoria
Tipo de DIMM
Orden de ocupación
C
A
D
B
Definición
3R = tres rangos
4R = cuatro rangos
x4 = 4-bits
x8 = 8-bits
L = bajo voltaje (1,35 V)
U = voltaje ultrabajo (1,25 V)
Omitido o en blanco = estándar
12800 = 1600-MT/s
10600 = 1333-MT/s
8500 = 1066-MT/s
R = RDIMM (registrado)
E = UDIMM (sin búfer con ECC)
L = LRDIMM (de carga reducida)
Número de ranura
4
3
2
1
Opciones de memoria
45
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