Sustitución De Memoria; Configuraciones De Memoria De Muestra - Dell PowerEdge R430 Manual Del Propietário

NOTA: Se pueden mezclar módulos DIMM de DRAM x4 y x8 para admitir características RAS. Sin
embargo, se deben seguir todas las pautas específicas para RAS. Los módulos DIMM de DRAM x4
conservan SDDC (Single Device Data Correction, corrección de datos de dispositivo único) en el
modo optimizado (canal independiente) de memoria. Los módulos DIMM de DRAM x8 requieren de
ECC avanzada para lograr SDDC.
Las siguientes secciones incluyen pautas adicionales sobre la ocupación de las ranuras en cada modo:
ECC avanzado (Lockstep)
El modo de ECC avanzado amplía SDDC de módulos DIMM basados en DRAM x4 tanto a DRAM x4 y x8.
Esta ampliación supone protección ante fallos de chip DRAM sencillos durante el funcionamiento.
Pautas para la instalación de memoria:
• Todos los módulos de memoria deben ser idénticos en lo que se refiere a tamaño, velocidad y
tecnología.
• Los módulos DIMM instalados en zócalos de memoria con palancas de liberación blancas deben ser
idénticos. Una regla similar se aplica a los zócalos con pestañas de liberación negras. Se garantiza así
que se instalen módulos DIMM idénticos en pares coincidentes: por ejemplo, A1 con A2, A3 con A4,
A5 con A6 y así sucesivamente.
NOTA: No se admite ECC avanzado con duplicación.
Modo de memoria optimizada (canal independiente)
Este modo admite SDDC solo para módulos de memoria que utilicen amplitudes de dispositivo x4 y no
necesiten requisitos específicos en cuanto a la ocupación de ranuras.
Sustitución de memoria
NOTA: Para utilizar la sustitución de memoria, esta función debe estar activada en Configuración
del sistema.
En este modo, se reserva para sustitución un banco por canal. Si se detectan errores persistentes y
reparables en un banco, sus datos se copian en el banco de sustitución y se deshabilita el banco en el
que se producen los errores.
Si está activada la sustitución de memoria, la memoria del sistema disponible para el sistema operativo se
reduce a un banco por canal. Por ejemplo, en una configuración de dos procesadores con 16 módulos
DIMMs duales de 4 GB, la memoria del sistema disponible es: 3/4 (bancos/canal) x 16 (DIMM) x 4 GB = 48
GB, en lugar de 16 (DIMM) x 4 GB = 64 GB.
NOTA: La sustitución de memoria no ofrece protección frente a errores irreparables de varios bits.
NOTA: Los modos Advanced ECC/Locstep (ECC avanzada/Locstep) y Optimizer (Optimización)
admiten la característica de sustitución de memoria.

Configuraciones de memoria de muestra

Las tablas siguientes muestran ejemplos de configuraciones de memoria para sistemas de uno y dos
procesadores, que respetan las pautas de memoria adecuadas según se detallan en esta sección.
NOTA: 1R y 2R indican en las siguientes tablas módulos DIMM simples y duales respectivamente.
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