Une caractéristique importante d'un Mosfet est la tension
à laquelle commence la conduction entre la source et le
drain. Cette porte est affichée en suivant les informations de
brochage.
Le Mosfet en mode de déplétion assez rare est très similaire au FET de jonction
conventionnel (JFET) sauf que ce terminal est isolé aux deux autres terminaux. La
résistance d'entrée de ces dispositifs peut typiquement être supérieure à 1000MQ pour
les tensions négatives et positives.
Les dispositifs en mode d'épuisement sont caractérisés par la
tension requise pour contrôler le drain-source.
Les dispositifs modernes de mode d'épuisement sont généralement disponibles uniquement
dans les variétés du canal-N et conduisent le courant entre ses bornes de drain et de
source même avec une tension nulle appliquée à travers ses bornes. L'appareil ne peut être
complètement éteint qu'en prenant sa porte significativement plus négative que sa source
terminale.
C'est cette caractéristique qui les rend si semblables aux JFETS classiques.
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FETS de jonction sont des transistors conventionnels
La tension appliquée aux bornes contrôle les bornes de drain et de source. Les JFETS à
canal N nécessitent une tension négative par rapport à leur source, plus la tension est
négative, moins qu'elle peut circuler entre les bornes.
Contrairement aux Mosfets en mode déplétion, les JFETS n'ont
pas de couche d'isolation à l'entrée. Cela signifie , bien que la
résistance entre l'entréeet la source soit normalement élevée,
il peut avoir une augmentation au niveau d'entrée si la jonction
de semi-conductrice entre l'entrée et la source ou entre l'entrée
et le drain devient polarisée . Cela peut arriver si la tension
devient supérieure d'environ 0,6Vau niveau de la source pour
les dispositifs du Canal-N ouune tension devient inférieure
d'environ 0.6V au niveau dela source pour les dispositifs du
canal-P.
Porte Vgs=3.47V
Test ld=2.50mA
Canal-N de Mosfet
en mode déplétion
L'entréede Drain et
de Source de rouge
vert bleu
Canal-P de la
Junction FET
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