Publicidad
Idiomas disponibles
Idiomas disponibles
I transistor Darlington possono avere valori di guadagno molto alti e una maggiore
variazione del guadagno sarà evidente come risultato di ciò.
Inoltre, è abbastanza normale che i transistor dello stesso tipo abbiano un'ampia gamma di
valori di guadagno. Per questo motivo, i circuiti a transistor sono spesso progettati in modo
tale che la loro operazione dipenda poco dal valore assoluto del guadagno di corrente.
Il valore visualizzato del guadagno è molto utile per confrontare i transistor di tipo simile
ai fini dell'accoppiamento del guadagno o della ricerca dei guasti.
Caduta di tensione base-emettitore
Vengono visualizzate le caratteristiche CC della giunzione base-emettitore, sia la caduta di
tensione diretta dell'emettitore di base che la corrente di base utilizzata per la misurazione.
La caduta di tensione diretta dell'emettitore base può essere
di aiuto nell'identificazione di dispositivi al silicio o germanio. I
dispositivi al germanio possono avere tensioni base-emettitore
di soli 0,2 V, i tipi di silicio mostrano letture di circa 0,7 V e i
transistor Darlington possono mostrare letture di circa 1,2 V a
causa delle molteplici giunzioni base-emettitore da misurare.
Corrente di dispersione del collettore
La corrente del collettore che si verifica quando il non scorrimento della corrente di base
viene indicato come corrente di dispersione. Il transistor più moderno esibisce valori
estremamente bassi di corrente di dispersione, spesso inferiore a 1μA, anche per tensioni
di collettore-emettitore molto elevate.
I tipi di germanio più vecchi tuttavia possono soffrire di una
corrente di dispersione significativa del collettore, in particolare
a temperature elevate (la corrente di dispersione può essere
molto dipendente dalla temperatura).
Se il transistor è di tipo al silicone, è necessario prevedere una corrente di dispersione
vicina a 0,00 mA, a meno che il transistor non sia difettoso.
Mosfets
Mosfet è l'acronimo di Metal OxideSemiconductor Field Effect
Transistor. Come i transistor bipolari, i Mosfet sono disponibili
in due tipi principali: N-Channel e P-Channel. I Mosfet più
moderni sono di tipo Enhancement Mode, il che significa
che l'inclinazione della tensione del gate-fonte, è sempre
positiva (per i tipi Canale N). L'altro tipo (più raro) di Mosfet è
il tipo Modalità di esaurimento che è descritto in una sezione
successiva.
Tensione B-E Vbe=
0,72 V
Tensione B-E Vbe=
0,72 V
Corrente di
dispersione IC=
0,15 mA
Miglioramento
MOSFET N-Ch
8
Publicidad
