Publicidad
Elemento
6
Para obtener más información acerca de las características, especificaciones, opciones,
configuraciones y compatibilidad del producto, consulte las QuickSpecs (Especificaciones rápidas)
en la página web de HP Product Bulletin (http://www.hp.com/go/productbulletin).
Memorias DIMM de rango único y rango doble
Los requisitos de configuración de los módulos DIMM se basan en estas clasificaciones:
DIMM de rango único: un conjunto de chips de memoria al que se accede mientras se escribe o
●
lee en la memoria.
Módulos DIMM de rango doble: dos módulos DIMM de rango único en el mismo módulo;
●
únicamente es posible acceder a un rango en cada momento.
El subsistema de control de la memoria del servidor selecciona el rango adecuado del módulo DIMM
cuando escribe en un DIMM o lee desde este.
Los módulos DIMM de rango doble proporcionan la mayor capacidad con la tecnología de memoria
existente. Por ejemplo, si la tecnología DRAM actual admite módulos DIMM de rango único de 2 GB,
un módulo DIMM de rango doble tendría 4 GB.
Arquitectura del subsistema de memoria
El subsistema de memoria de este servidor se divide en dos canales. Cada procesador admite tres
canales, y cada canal admite dos ranuras DIMM.
Canal
1
2
3
Las ranuras de DIMM de este servidor se identifican por un número y letra. Las letras identifican el
orden de ocupación. Los mensajes ROM informan sobre los números de ranura durante el arranque
y en los informes de error. Para obtener más información, consulte "Ubicaciones de las ranuras
DIMM"
(Ubicación de las ranuras DIMM en la página
Modos de protección de memoria
Para optimizar la disponibilidad del servidor, este admite los siguientes modos AMP:
ESES
Descripción
Tipo de DIMM
Orden de ocupación
A
D
B
E
C
F
6).
Definición
8500 = 1066-MT/s
R = RDIMM (registrado)
E = UDIMM (sin búfer con ECC)
L = LRDIMM (de carga reducida)
Número de ranura
1
2
3
4
5
6
Opciones de memoria
51
Publicidad
