• Consulte
"Modo de memoria independiente con mezcla de filas" en la página 54
información sobre la secuencia de instalación al instalar módulos de memoria con diferentes filas.
Con un procesador
Tabla 15. Modo de memoria independiente con un procesador
Total de DIMM
1
DIMM
2
DIMM
4
DIMM
1
6
DIMM
8
1,2
DIMM
12
DIMM
16
DIMM
1,2,3
Notas:
1. La característica de organización en clústeres de Sub NUMA (SNC2) solo se puede habilitar cuando se
rellenan DIMM en esta secuencia especificada. La característica SNC2 se puede habilitar mediante
UEFI.
2. Para conocer las configuraciones de DIMM que admiten Software Guard Extensions (SGX), consulte
"Habilitar Software Guard Extensions (SGX)" en la página 308
3. En ThinkSystem ST650 V3, se admite la mezcla de filas entre RDIMM de una y dos filas cuando hay 16
DIMM rellenados para cada procesador. Consulte
filas" en la página 54
módulos de memoria con diferentes filas.
Con dos procesadores
Tabla 16. Modo Independiente con dos procesadores
Total de DIMM
1
DIMM
2
DIMM
52
Guía del usuario de ThinkSystem ST650 V3
1
2
3
4
3
3
3
1
3
1
3
4
1
2
3
4
para obtener más información sobre la secuencia de instalación al instalar
1
2
3
4
3
Procesador 1
5
6
7
8
9
7
5
7
5
7
5
7
8
9
5
6
7
8
9
para habilitar esta característica.
"Modo de memoria independiente con mezcla de
Procesador 1
5
6
7
8
9
para obtener más
10
11
12
13
14
10
10
10
14
10
14
10
12
14
10
12
13
14
10
11
12
13
14
10
11
12
13
14
10
10
15
16
16
16
16
15
16
15
16