Lenovo ThinkSystem ST650 V3 Guia Del Usuario página 64

Modo de memoria independiente con mezcla de filas
Siga la secuencia de instalación del módulo de memoria en esta sección cuando instale módulos de
memoria con diferentes filas en el modo de memoria independiente.
• Los RDIMM de una fila se pueden mezclar con RDIMM de dos filas cuando hay 16 DIMM rellenados para
cada procesador (es decir, 16 o 32 DIMM en total).
• Si un canal de memoria tiene dos DIMM con diferentes filas, primero llene el DIMM con un número más
alto de filas en la ranura 0 (más lejos del procesador).
Con un procesador
Cuando instale DIMM con diferentes filas con un solo procesador (procesador 1) instalado, siga la secuencia
que se indica a continuación e instale los DIMM de mayor fila primero; luego, instale los DIMM de fila inferior
en las ranuras restantes.
Tabla 17. Secuencia de instalación de ranuras de DIMM de filas mezcladas con un procesador
Total de
1
DIMM
8
D 2
Dos filas
DIMM
8
Una fila
DIMM
Notas:
1. S: RDIMM de una fila
2. D: RDIMM de dos filas
Con dos procesadores
Cuando instale DIMM con diferentes filas con dos procesadores instalados, siga la secuencia que se indica
a continuación e instale los DIMM de mayor fila primero; luego, instale los DIMM de fila inferior en las ranuras
restantes.
Tabla 18. Secuencia de instalación de ranuras de DIMM de filas mezcladas con dos procesadores
Total de
1
DIMM
16
D 2
Dos filas
DIMM
16
Una fila
DIMM
54
Guía del usuario de ThinkSystem ST650 V3
2 3 4 5
D 2 D 2
S 1 S 1
2 3 4 5
D 2 D 2
S S S
1 1
Procesador 1
6 7 8 9
D 2
S 1 S 1 S 1
Procesador 1
6 7 8 9 10
D 2 D
S S
1 1 1
10 11 12 13 14
D 2 D 2 D
S 1 S 1
11 12 13 14
2 D 2 D
S S
1 1
15 16
2 D 2
S 1
15 16
2 D 2
S
1