¿Qué es el DAR (Relación de Absorción dieléctrica) y el PI (Índice de Polarización)?
Más allá del valor cuantitativo de la resistencia de aislamiento, es especialmente interesante calcular las
relaciones de calidad del aislamiento ya que permiten franquearse de algunos parámetros susceptibles
de invalidar la medida "absoluta" del aislamiento.
Estos principales parámetros son los siguientes:
la temperatura y la humedad. Hacen variar el valor de la resistencia de aislamiento según una
ley casi exponencial.
las corrientes parásitas (corriente de carga capacitiva, corriente de absorción dieléctrica)
creadas por la aplicación de la tensión de prueba. Incluso si se anulan progresivamente,
perturban la medida al inicio de ésta durante un tiempo más o menos largo dependiendo de
si el aislante está en buen estado o degradado.
Estas relaciones completan por tanto el valor "absoluto" del aislamiento y traducen de manera fi able el
buen o mal estado de los aislantes.
Además, el seguimiento en el tiempo de la evolución de estas relaciones permitirá implantar un
mantenimiento predictivo, por ejemplo para vigilar el envejecimiento del aislamiento de un parque de
máquinas giratorias.
Las relaciones DAR y PI se calculan de la siguiente forma:
PI = R 10 min / R 1 min
DAR = R 1 min / R 30 seg.
Comentario: Cabe destacar que los tiempos de 1 y 10 minutos para el cálculo de PI y 30 y 60 segundos
para el cálculo del DAR son los normalizados en la actualidad y programados por defecto
en el instrumento.
Sin embargo, se pueden modifi car en el SET-UP para adaptarse a una posible evolución
de la normativa o para una aplicación particular.
Una capacidad en paralelo con la resistencia de aislamiento incrementa el tiempo de
establecimiento de la medida. Esto puede perturbar o impedir las medidas del DAR y
del PI (lo que depende del tiempo elegido para el registro del primer valor). La tabla a
continuación indica los valores típicos de las capacidades en paralelo con la resistencia
de aislamiento que permiten medir el DAR y el PI con los tiempos de registro por defecto.
50 V
100 V
500 V
1000 V
2500 V
5000 V
(2 valores a medir durante una medida de 10 min.)
(2 valores a medir durante una medida de 1 min.)
100 k
1 M
10 M
40 µF
40 µF
20 µF
40 µF
40 µF
20 µF
20 µF
20 µF
10 µF
5 µF
5 µF
5 µF
2 µF
2 µF
2 µF
1 µF
1 µF
1 µF
242
100 M
1 G
10 G
10 µF
1 µF
0 µF
10 µF
1 µF
0 µF
5 µF
2 µF
1 µF
2 µF
2 µF
1 µF
1 µF
0,5 µF
0 µF
0,5 µF
0,5 µF
0 µF
100 G
0 µF
0 µF
1 µF
1 µF
0 µF
0 µF