Woodward HighPROTEC MCDGV4 Manual De Referencia página 361

Z[1] . Áng. alc. imp. pos. políg. 1
0°
Solo disp. si:
• Z[1] . Tipo zona imp. = Polígono
Parám. adapt. ⟴
Característica de polígono: el »Ángulo de alcance de impedancia positiva 1« es el ángulo de
inclinación del elemento de línea que empieza en el extremo de alcance de impedancia
positiva y se extiende a la derecha, al primer cuadrante.
Z[1] . Áng. alc. imp. pos. políg. 2
180°
Solo disp. si:
• Z[1] . Tipo zona imp. = Polígono
Parám. adapt. ⟴
Característica de polígono: el »Ángulo de alcance de impedancia positiva 2« es el ángulo de
inclinación del elemento de línea que empieza en el extremo de alcance de impedancia
positiva y se extiende a la izquierda, al segundo cuadrante.
Z[1] . Alcance resist. pos. políg.
8.0Ω
Solo disp. si:
• Z[1] . Tipo zona imp. = Polígono
Parám. adapt. ⟴
Característica de polígono: el »Alcance de carga resistiva positiva« determina el alcance en el
eje R positivo (valor secundario) y se utiliza para limitar la cobertura de resistencia de fallo y el
paso de la impedancia de carga a las características.
Z[1] . Áng. resist. pos. políg. 1
60°
Solo disp. si:
• Z[1] . Tipo zona imp. = Polígono
Parám. adapt. ⟴
Característica de polígono: el »Ángulo de carga resistiva positiva 1« es un ángulo de
inclinación en el primer cuadrante. La parte derecha del blindaje se excluye de la zona de
operación.
MCDGV4-3.6-ES-REF
[Parám protec / Def 1...4 / Z / Z[1] / Característica]
-30° . . . 5°
[Parám protec / Def 1...4 / Z / Z[1] / Característica]
175° . . . 210°
[Parám protec / Def 1...4 / Z / Z[1] / Característica]
Si: TC Ntr . CT sec = 1A
• 1.0Ω . . . 500.0Ω
Si: TC Ntr . CT sec = 5A
• 0.2Ω . . . 100.0Ω
[Parám protec / Def 1...4 / Z / Z[1] / Característica]
50° . . . 90°
MCDGV4
9 Parámetro de protección
9.36 Z[1] . . . Z[2]
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