LEM SATURN 100 plus Instrucciones De Uso página 183

Informations
Résistance interne: 470 kΩ environ
Durée de mesure
(sans déclenchement): 2 - 26 périodes, dépendant de U
≥50 V
S
Lors de l'essai de DDR la tension de contact est référencée au double du
courant nominal.
Courant
Gamme de mesure
Résolution
nominal
pour R S ou. R A
(Ω)
I ∆N (mA)
1...15 Ω...9,99 kΩ
10 1...10
30 1...15 Ω...3,33 kΩ 1...10
100 0,1...1,5 Ω...999 Ω 0,1...1
3 ) 300 0,1...1
0,1...1,5 Ω...333 Ω
1 ) 500 0,01...1
0,01...0,15 Ω...199 Ω
1 ) 2 )1000 0,01...1
0,01..0,15 Ω..9,9Ω
Test Gamme de mesure Résolution
(t A )
I x 1,
∆ N
0 ... 500 ms 1 ms
I x 2, S
∆ N
150 ms 1 ms
I x 5
∆ N
Rampe 300/500ms 1 ms
Temps de mesure pour le test avec déclenchement: 2 - 26 périodes + (250 + 200)
ms (Temps correspondant au disjoncteur différentiel)
avec sonde:
Gamme de mesure de la
Résolution
tension de sonde
0,1 – 69,9 V 0,1 V
Résistance interne: 1,6 MΩ env.
Résistance de sonde max: ≤ 10 kΩ
Tension parasite: 20 V max. par rapport a PE;
La mesure n'est pas effectuée pour des tensions de
sonde élevées.
max. 200 ms pour U
L
Calcul Dérive opératoire
U L
R A ( R S) =
2x I ∆N
± (10 % deVM+4
S
pour :
ch.)
U L
R A ( R S) =
I ∆N
Dérive opératoire
±4 ms
±4 ms
±4 ms
Précision de base
± (2 % de la mesure+ 1 dig.)
57
L