Dirección De Las Variables De Memoria - Chauvin Arnoux Enerdis C.A 2150 Manual De Instrucciones

8. DIRECCIÓN DE LAS VARIABLES DE MEMORIA
Datos de programación (Lectura / Escritura)
BYTE MODBUS
0 0
1
2 1
3
4 2
5
6 3
7
8 4
9
10 5
11
12 6
13
14 7
15
16 8
17
18 9
19
20 10
21
22 11
23
24 12
Variable
ENTRADA
UNIDAD
TIPO_PROCESO
TIPO_TEMP
TIPO_LOAD
RES
TIPO_TERMOPAR
INPUT 1
[6]
INPUT 2
[6]
INPUT 3
[6]
13
Significado
0=Proceso, 1=Célula de Carga, 2=Temperatura
0=Celsius, 1=Fahrenheit
0=±10V, 1=±20mA
0=Pt100, 1=Termopar
0=15mV, 1=30mV, 2=150mV
0=1º, 1=0.1º
0=J, 1=K, 2=T
0..9, 10=-1, 11="-"
Dígito 4
Dígito 3
Dígito 2
Dígito 1
Dígito 0 (Digito para máxima resolución interna)
0..9, 10=-1, 11="-"
Dígito 4
Dígito 3
Dígito 2
Dígito 1
Dígito 0 (Digito para máxima resolución interna)
0..9, 10=-1, 11="-"
Dígito 4
Dígito 3
Dígito 2
Dígito 1
Dígito 0 (Digito para máxima resolución interna)