Tensión de activación
Ʋ Mín.
Ʋ Máx.
Corriente de conmutación
Ʋ Mín.
Ʋ Máx.
Potencia de ruptura
Ʋ Mín.
Ʋ Máx.
Material de contacto (Contacto de relé)
Salida del transistor
Salida
Corriente bajo carga
Caída de tensión
Tensión de activación
Corriente en estado de no conducción
Precisión de medición (según DIN EN 60770-1)
Condiciones de referencia de proceso según DIN EN 61298-1
Ʋ Temperatura
Ʋ Humedad relativa del aire
Ʋ Presión de aire
Reproducibilidad
Error de medición para sólidos a granel
Error de medición bajo influencia electro-
magnética (CEM)
Condiciones ambientales
Temperatura de almacenaje y transporte -40 ... +60 °C (-40 ... +140 °F)
Condiciones de proceso
Para las condiciones de proceso hay que considerar adicionalmente las especificaciones en la
placa de tipos. Siempre se aplica el valor menor.
Presión de proceso
POINTRAC 31 • Foundation Fieldbus
10 mV
253 V AC, 253 V DC
10 µA
3 A AC, 1 A DC
50 mW
750 VA AC, 40 W DC
Si se conectan cargas inductivas o corrientes elevadas,
se daña permanentemente el chapado de oro sobre la
superficie de contacto del relé. Posteriormente el con-
tacto no sirve para la conexión de circuitos de corriente
de baja señal.
AgNi o AgSnO y plaqueado de Au
salida de transistor sin potencial, a prueba de cortocir-
cuito sostenido
< 400 mA
< 1 V
< 55 V DC
< 10 µA
+18 ... +30 °C (+64 ... +86 °F)
45 ... 75 %
860 ... 1060 mbar/86 ... 106 kPa (12.5 ... 15.4 psig)
≤ 0,5 %
Los valores dependen en gran medida de la aplicación.
Por eso es imposible especificaciones garantizadas.
≤ 1 %
Sin presión
11 Anexo
53