Woodward MCDGV4 Traducción Del Original página 124

2 Hardware
2.6.3.4 Requisitos de CT
Corriente de cortocircuito simétrica máxima
para 80 % de impedancia en la zona 1
Empiece calculando el valor de K
cortocircuito simétrica máxima:
I
psc,max
K =
ssc
I
Se puede consultar el valor K
El factor de dimensionamiento total se calcula a partir de lo siguiente:
K = K ⋅K
ssc
Ahora, vamos a calcular los fatos para un CT PX/PXR. Estos CT se definen mediante el
campo electromagnético de umbral de compresión nominal. E
≥ K
E ⋅ I
k
1,2
El CT debería tener un campo electromagnético de umbral de compresión nominal E
encima de este valor.
Por lo tanto, es suficiente con un CT con E
124
= 4800 A
= 10
480 A
pr
td
= 10⋅8 = 80
td
= 80
⋅ ⎛ R + R ' ⎞ ⋅ 1 A ⋅ (1 Ω + 1,5 Ω) = 166,67 V
sr
ct
⎝ b ⎠ 1,2
I = 4,8 kA
psc.max
con el umbral de ajuste para la corriente de
ssc
= 8 en los requisitos de la tabla anterior,
= 200 V.
k
MCDGV4
╚═▷ Tabla
.
k
MCDGV4-3.7-ES-MAN
.
por
k