WEG MVW3000 Serie Manual Del Usuario página 30

CARACTERÍSTICAS DEL PRODUCTO
F1
R
S
F2
T
3
Son utilizados dispositivos semiconductores controlados del tipo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) para
implementar el puente inversor en H, de esa forma, cada célula de potencia cuenta con cuatro IGBTs en la con-
figuración presentada arriba. Durante el funcionamiento, la tensión entre los terminales de salida FA y NE tiene
tres posibles niveles de tensión. Considerando que la tensión del bus CC de cada célula es Vcc y que solamente
dos IGBTs pueden estar operando simultáneamente (por cuestiones de protección de cortocircuito los dos IGBTs
de cada brazo no pueden estar en conducción simultáneamente) cuando S1f y S2n están en funcionamiento, la
tensión entre FA y NE será +Vcc, mientras que si S1n y S2f entran en funcionamiento, la tensión entre FA y NE
será –Vcc. Si S1n y S1f o S2n y S2f estén encendidos, la tensión, en ambos casos, será igual a cero.
Para la protección de los módulos, son conectados dos fusibles F1 y F2 en la entrada de las fases R y T, co-
mo presentado en la
bypass, cuando sea disponible, será responsable por contornar la célula en falla, retirándola de la serie y posibili-
tando la continuidad de la operación.
Cuando eso ocurre, serán aplicadas estrategias de control, para que la carga permanezca en funcionamiento.
Para más informaciones consulte el
BYPASS DE CÉLULA en la página 8-5
Cada célula de potencia cuenta con un módulo de control local. Este módulo se comunica con el módulo de con-
trol principal por medio de una interfaz de fibra óptica, necesaria para obtenerse, además del grado de aislamiento
requerido para la comunicación, inmunidad a ruidos, mayor robustez y confiabilidad, características necesarias pa-
ra la aplicación. El control local hace adquisiciones y monitorea grandezas relevantes al funcionamiento de la célula.
Algunas de las grandezas monitoreadas son las tensiones de línea de entrada de la célula de potencia, tem-
peratura de los módulos de diodos y IGBTs, tensión de los condensadores del bus CC, tensiones de las fuentes
de alimentación de la célula, entre otros.
El control local también es responsable por accionamientos locales, como la conmutación de los IGBTs y el dis-
paro del sistema de bypass. En caso de que la célula presente lecturas fuera de los estándares esperados para
operación, como por ejemplo, temperaturas próximas de dañar los semiconductores, sobretensión en el bus CC,
u otras fallas previstas por el control, el sistema de bypass podrá ser accionado para proteger una posible falla de
la célula o retirar de operación una célula ya dañada.
MVW3000 | 3-4
D1 D3 D5
D2 D4 D6
Medición
T
S
R
Figura 3.4: Esquema básico de una célula de potencia
Figura 3.4 en la página 3-4
Capítulo 8 FUNCIONES ESPECIALES en la página 8-1
.
S1n
R1
C1
R2
S2n
24V
15V
5V
GND
Fuente
Fibra optica
. En caso de que un módulo presente alguna falla, el sistema de
FA
S1f
S2f
NE
Control local
en la Sección 8.3