Especificaciones - Enraf Nonius Endolaser 120 Instrucciones De Uso

13 Especificaciones

Datos técnicos
Información eléctrica
Tensión de red:
Frecuencia:
Potencia de entrada máx.:
Dimensiones
Dispositivo principal
(largo x ancho x alto):
Peso
Especificaciones técnicas
Sonda Láser 100 mW Pulsada (LP100P)
Potencia máxima de salida
Tipo
Longitud de onda
Frecuencia de pulso
Divergencia del haz
Duración del impulso
Máxima salida del láser
Distancia nominal de riesgo ocular (NOHD)
Sonda Láser 500 mW CW (LP500C)
Potencia máxima de salida
Tipo
Longitud de onda
Ciclo de servicio
Divergencia del haz
Duración del impulso
Máxima salida del láser
Distancia nominal de riesgo ocular (NOHD)
Sonda Láser Cluster 4x100mW CW (CP4X100C)
Potencia máxima de salida
Tipo
Longitud de onda
Ciclo de servicio
Divergencia del haz
Duración del impulso
Máxima salida del láser
Distancia nominal de riesgo ocular (NOHD)
100 - 240 Volt
50/60 Hz
20 VA
22 x 16 x 14 cm
1,6 kg
100 mW ± 20%
(GaAs) Pulsada
Diodo láser de infrarrojo cercano 905 nm ± 10 nm
1 – 10 kHz en pasos de 1kHz
263 x 174 mrad
100 ns
100 W Pico ± 20%
0,48 m
500 mW ± 20%
(GaAlAs) Continuo
Diodo láser de infrarrojo cercano 808 nm ± 5 nm
10 – 100 % en pasos de 10 %
273 x 72 mrad
Continuo
500 mW ± 20%
1,33 m
4 x 100 mW ± 20%
(GaAlAs) Continuo
Diodo láser de infrarrojo cercano 808 nm ±5 nm
10 – 100% en pasos de 10 %
489x 140 mrad
Continuo
4 x 100 mW ± 20%
1 m
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