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Rapport signal/bruit
rapporté à la puissance de sortie 2 x 50
mW pour les entrées
> 50dB
rapporté à la puissance nominale, entrées
à valeurs ohmiques très élevées
> 70 dB
Entrée de cellule magnétique,
à valeurs ohmiques basses
> 66 dB
Diaphonie
à 1000 Hz
> 45 dB
105 VA environ
110, 117, 220, 240 V
2x06AmT
Consommation
Tensions secteur
Fusibles
Equipement
2 transistors à effet de champ
44 transistors silicium
4 transistors silicium de puissance
5 diodes silicium
3 diodes de capacité au silicium
2 diodes germanium
3 diodes Zener
2 diodes de stabilisation au silicium
1 redresseur silicium
2 fusibles 1,25 A rapide pour protection
des étages finaux
420 x 108 x 335 mm
77kg
Dimensions
Poids
Stoorspanningsafstand
betrokken op Na = 2 x 50 mW bij alle ingan-
gen
> 50 dB
betrokken op vol vermogen hoogohmige
ingangen
> 70 dB
Ingang magn. systeem
> 66 dB
(laag ohmig)
Overspraak
bij 1 kHz
> 45dB
Opgenomenvermogen
ca. 105 VA
Netspanning
110, 117,220, 240 Volt
Zekeringen
2x06AmT
Halfgeleiders
2 veld-effect transistoren (FET's)
44 silicium transistoren
4 silicium vermogenstransistoren
5 silicium dioden
3 silicium capaciteitsdioden
2 germanium dioden
3 zener dioden
2 silicium stabilisatiedioden
1 silicium bruggelijkrichter
2 glaszekeringen 1,25 A middel traag
ter beveiliging van de eindtrappen
420 x 108 x 335 mm
7,7 kg
Afmetingen
Gewicht
Relación señal/ruído
referida a Ns = 2 x 50 mW
en tomas de bajo ohmiaje
>500B
`
referida a potencia nominal
tomas de alto ohmiaje
>70dB
referida a potencia nominal,
tomas de bajo ohmiaje
> 66 dB
Separación entre canales a 1000 Hz
>45dB
Absorción de energia
apróx. 80 VA
Tensiones de red
110, 117,220, 240 V
Fusibles
2x0,6 AmT
Equipo
2 transistores de eficencia de campo
44 transistores de silicio
4 transistores de potencia de silicio
5 diodes de silicio
3 diodes de capacidad
2 diodes germanium
3 diodes Z
2 diodes silicio estabilizador
1 rectificador de silicio
2 fusibles 1,25 A sensibles para asegurar
las etapas finales
Dimensiones
420 x 108 x 335 mm
(Anchura x altura x profundidad)
Peso
7,7 Kgrs.
Främmande spänningsavständ
kan hänföras till Na= 2 x 50 mwatt
vid samtliga ingängar
>50dB
kan hänföras till nominell effekt
högohmiga ingängar
>70dB
Ingäng magnetsystem
(lágohmig)
>66 dB
Overhóringsdámpning
> 45 dB vid 1000 Hz
Effektupptagning
ca. 105 VA
Nätspänningar
110, 117, 220, 240 Volt
Säkringar
2x 0,6 A mT
Bestyckning
2 feldeffect-transistorer
44 silizium-transistoren
4 silizium-effekttransistorer
5 silizium-dioder
3 silizium-kapacitetsdioder
2 germaniumdioder
3 zenerdioder
2 silizium-stabiliseringsdioder
1 silizium-likriktareoch
2 g-smáltinsatser 1,25 A mT för säkring av
slutsteget
Mätt
420 x 108 x 335 mm
Vikt
7,7 kg
29
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