Filename Date Time
UC200xxxxxx EN
4 x 8 inches (101 mm x 203 mm)
2. Εισαγάγετε τους βρόχους εκτόνωσης τάσης μέσα στο θυλάκιο σύνδεσης
ηλεκτροδίου-προέκτασης, κάτω από τη σύνδεση, αφήνοντας τα σώματα
ηλεκτροδίων όσο το δυνατόν περισσότερο χαλαρά μεταξύ του πτερυγίου
του ηλεκτροδίου και των συνδέσεων ηλεκτροδίου-προέκτασης.
3. Συρράψτε κάθε κάλυμμα συνδέσμου (χρησιμοποιώντας μη
απορροφήσιμο μετάξι) στον υπερακάνθιο σύνδεσμο ή στην εν τω βάθει
περιτονία.
Σημειώσεις:
▪
Mη συρράπτετε το στενό άκρο των καλυμμάτων συνδέσμου ή
οπουδήποτε επάνω στα σώματα ηλεκτροδίων.
▪
Όταν χρησιμοποιείτε μακρύτερο ηλεκτρόδιο, η συρραφή των
καλυμμάτων συνδέσμου επαφίεται στην κρίση του ιατρού.
4. Εάν είναι επιθυμητό, χρησιμοποιήστε τον εξωτερικό νευροδιεγέρτη για να
επαληθεύσετε ότι η θέση του ηλεκτροδίου και το μοτίβο της διέγερσης δεν
έχουν αλλάξει.
5. Ανατρέξτε στο εγχειρίδιο εμφύτευσης του νευροδιεγέρτη για οδηγίες
σχετικά με τη σύνδεση του ηλεκτροδίου στο νευροδιεγέρτη.
Διαδικασία εμφύτευσης: σύνδεση του ηλεκτροδίου
απευθείας σε ένα νευροδιεγέρτη
Μετά την ενδοεγχειρητική δοκιμασία διέγερσης, χρησιμοποιήστε αυτή τη
διαδικασία για να συνδέσετε το χειρουργικό ηλεκτρόδιο απευθείας σε ένα
νευροδιεγέρτη της Medtronic. Eάν χρησιμοποιείτε προεκτάσεις για να
εμφυτεύσετε το ηλεκτρόδιο, ανατρέξτε στην ενότητα "Διαδικασία εμφύτευσης:
σύνδεση του ηλεκτροδίου σε δύο προεκτάσεις" στη σελίδα 150.
Η διαδικασία αυτή περιλαμβάνει τις ακόλουθες ενότητες:
▪
Αγκίστρωση του ηλεκτροδίου
▪
Σηραγγοποίηση του ηλεκτροδίου για άμεση σύνδεση με ένα
νευροδιεγέρτη
▪
Δημιουργία βρόχων εκτόνωσης τάσης όταν συνδέετε το ηλεκτρόδιο
απευθείας σε ένα νευροδιεγέρτη
Αγκίστρωση του ηλεκτροδίου
Σημείωση: Η χρήση των αγκίστρων επαφίεται στην κρίση του κλινικού
ιατρού. Η κατάλληλη χρήση των αγκίστρων απαιτεί τη χρήση των βρόχων
εκτόνωσης τάσης προκειμένου να μειωθούν οι εντάσεις οι οποίες
ασκούνται στο ηλεκτρόδιο.
#
Προσοχή: Μην κάνετε απολινώσεις γύρω από το ηλεκτρόδιο ή την
προέκταση, γιατί αυτό μπορεί να καταστρέψει τη μόνωση.
1. Ενώ διατηρείτε τη θέση του ηλεκτροδίου, σύρετε το άγκιστρο επάνω στο
εγγύς άκρο κάθε σώματος ηλεκτροδίου και συνεχίστε να σύρετε το
άγκιστρο προς τα κάτω, όσο το δυνατόν πιο κοντά στο σημείο απ' όπου
το ηλεκτρόδιο εξέρχεται από τη σπονδυλική στήλη. (Αφήστε τα σώματα
ηλεκτροδίων χαλαρά μεταξύ του πτερυγίου του ηλεκτροδίου και των
αγκίστρων για να υπάρχει περιθώριο για τους βρόχους εκτόνωσης
τάσης.) Να είστε προσεκτικοί να διατηρείτε τη θέση του ηλεκτροδίου.
M933461A002 Rev A
≥ 2 cm
Εικ. 4. Περιέλιξη της περίσσειας ηλεκτροδίου.
Medtronic Confidential
ImplantManual.xsl -
LeadExtTemplate.fm
Template Version: 02-25-2009
39286 Ελληνικά 153
2009-07