gefran TPD32-EV Manual De Instrucciones página 486

Son posibles las siguientes fórmulas
Vb@Id = (Id / (Iprim / Isec)) x Rb
N N
Ejemplo de cálculo A
IdN = 2000A, CT = 2400A / 0,5A; Rb = 5 Ohm.
Vb@IdN = (IdN / (2400 / 0,5)) x Rb = (2000 / 4800) x 5 = 2,08333V;
Gain_required = Vf@IdN / Vb@IdN = 0,612 / 2,08333 = 0,29376; por lo tanto
Binary_switch_setting = 51,2 / 0,29376 = 174,29 cque se redondea a 174 y se convierte en binario, resulta
000010101110. Es decir:
SW3-1 SW3-2 SW3-3
OFF OFF OFF
MSB
Ejemplo de cálculo B (caso extremo)
Id = 85A, CT = 2000A / 1A; Rb = 2,5Ohm.
N
Vb@Id = (Id / (2000 / 1)) x Rb = (85 / 2000) x 2,5 = 0,10625V;
N N
Gain_required = Vf@Id
Binary_switch_setting = 51,2 / 5,76 = 8,88888 redondeado a 9 y convertido en binario 000000001001.
Ejemplo de cálculo C
IdN = 16000A, CT = 20000A / 5A;
Queremos utilizar Rb interna de 2,5 ohmios, insertando en cascada un segundo CT
Obtenemos un nuev Iprim/Isec que resulta en un total de 20000A/1A;
Vb@Id = (Id / (20000 / 1)) x Rb = (16000 / 20000) x 2,5 = 2V;
N N
Gain_required = Vf@Id
Binary_switch_setting = 51,2 / 0,306 = 167,32 redondeado a 167 y convertido en binario 000010100111.
Ejemplo de cálculo D
Resistencia de carga conectada a los bornes XCT y CT con corriente secundaria de 5A. Manteniendo para la
resistencia de carga el mismo criterio seguido hasta aquí, el valor ideal de resistencia de carga es de 2,5 ohmios /
5 = 0,5 Ohm. El valor más próximo de la serie EIA E96 es de 0,499 ohmios ±1% ma, pero por supuesto, también
se puede utilizar el más habitual de 0,47 ohmios ±1%.
Id = 8000A, CT = 10000A / 5A, Rb = 0,47Ohm.
N
Vb@Id = (Id / (10000 / 5)) x Rb = (8000 / 2000) X 0,47 = 1,88V;
N N
Gain_required = Vf@Id
Binary_switch_setting = 51,2 / 0,3255319149 = 157,281; redondeado a 157 y convertido en binario 000010011101.
¡n : Para la selección de la resistencia externa de carga, se tiene en cuenta el hecho de que la
otA
potencia disipada por la misma puede ser considerable. En este ejemplo, la corriente nominal
ya dispone de una potencia de aprox. (1.88)
situaciones de sobrecarga y la recomendación de no utilizar las resistencias de más de la
mitad de su potencia nominal..
Tabla A1.6.3.1: Cálculo de la configuración de los dip-switches de SW3-1 a SW4-8 de los convertidores estándar TPD32-EV.. con puente externo
Corriente CT
nominal de transformador
armadura
[a ]
dc
1000 1600/0,4
1010 1600/0,4
486
SW3-4 SW4-1
OFF ON
/ Vb@Id = 0,612 / 0,10625 = 5,76; por lo tanto
N N
/ Vb@Id = 0,612 / 2 = 0,306; por lo tanto
N N
/ Vb@Id = 0,612 / 1,88 = 0,3255319149; por lo tanto
N N
Jumper J4 Jumper J5
(en la placa (en la placa
FIRXP-XX) FIRXP-XX)
(Rb=5Ω)
OFF ON
OFF ON
—————— TPD32-EV ——————
y Gain_required = Vf@Id
SW4-2 SW4-3 SW4-4
OFF ON OFF
/0,47 = 7,5W sin tener en cuenta las posibles
2
Vb@IdN Ganancia
requerida
[V ]
dc
1,250000 0,489600
1,262500 0,484752
/ Vb@Id .
N N
SW4-5 SW4-6 SW4-7
ON ON
con relación 5A/1A.
2
Ajuste del Número SW3-1, ..SW3-4,
switch binario SW4-1, ..SW4-8
binario (en la placa FIRXP-XX)
[MSB ... LSB]
105 1101000 000001101000
106 1101001 000001101001
SW4-8
ON OFF
LSB